El nitruro de galio
es un material semiconductor de banda ancha de tercera generación con la fórmula química GaN. En condiciones normales, se presenta en forma de partículas cristalinas de color gris oscuro y se caracteriza por una banda ancha directa de aproximadamente 3,4 eV, una conductividad térmica excepcionalmente alta, una velocidad de deriva de saturación de electrones y un campo eléctrico de ruptura. Como material básico fundamental para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos de alta eficiencia, componentes de RF de alta frecuencia/alta potencia y sistemas electrónicos de potencia de última generación, se le considera el material «fundamental» que sustenta las comunicaciones de información, la conversión de energía y la iluminación inteligente del futuro.
Ofrecemos gránulos de nitruro de galio de alta calidad en múltiples grados de pureza, especificaciones de tamaño de partícula y tipos de conductividad. Póngase en contacto con nosotros
para obtener soluciones personalizadas.
Semiconductor de banda ancha (~3,4 eV)
Movilidad y velocidad de saturación de electrones ultra altas
Excelente estabilidad térmica y química
Alta resistencia al campo eléctrico de ruptura
Alta eficiencia de luminiscencia de banda prohibida directa
Optoelectrónica e iluminación por semiconductores: sirve como material de sustrato epitaxial para la fabricación de LED azules/verdes/blancos de alta eficiencia, diodos láser y chips LED UV.
Comunicaciones por radiofrecuencia y microondas: se utiliza en amplificadores de potencia de radiofrecuencia de alta potencia y alta eficiencia para estaciones base de comunicaciones 5G/6G, comunicaciones por satélite y sistemas de radar.
Electrónica de potencia y carga rápida: se utiliza en la fabricación de dispositivos de conversión de potencia compactos y de alta eficiencia que se aplican ampliamente en vehículos de nueva energía, fuentes de alimentación de centros de datos y cargadores rápidos de GaN.
Sustratos de dispositivos semiconductores: sirve como material de sustrato para la epitaxia homogénea para hacer crecer capas epitaxiales de GaN de alta calidad para la fabricación de dispositivos electrónicos de alto rendimiento.
P1: ¿Cuáles son las principales diferencias entre las partículas de GaN y SiC?
R1: El GaN ofrece una mayor movilidad de electrones, lo que lo hace más adecuado para aplicaciones de alta frecuencia (por ejemplo, 5G RF); el SiC proporciona una conductividad térmica superior, lo que lo hace más adecuado para aplicaciones de potencia de ultra alta tensión (por ejemplo, accionamientos principales de vehículos eléctricos).
P2: ¿Qué nivel de pureza se requiere para las partículas de GaN?
R2: Depende de la aplicación. El crecimiento epitaxial de alta gama suele requerir una pureza de 5N (99,999 %) o superior; ciertos usos de sinterización o aditivos pueden aceptar un grado de 4N (99,99 %).
P3: ¿Cómo se debe almacenar el producto?
R3: Almacénelo en un recipiente hermético a temperatura ambiente en un entorno seco. Evite el contacto con productos químicos corrosivos, como ácidos o álcalis, para prevenir la oxidación y la contaminación.
P4: ¿Por qué el material GaN es relativamente caro?
R4: Las razones principales incluyen la gran dificultad, las importantes barreras técnicas y el considerable consumo de energía que implica la producción de monocristales de alta calidad. Además, la escala industrial actual sigue siendo relativamente pequeña en comparación con los materiales tradicionales como el silicio.
Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición
Aprovechando nuestra profunda experiencia técnica en materiales semiconductores de tercera generación, le ofrecemos partículas de GaN fiables y de alto rendimiento en una amplia gama de especificaciones, junto con un apoyo técnico profesional para la selección.
Fórmula molecular: GaN
Peso molecular: 83,73 g/mol
Aspecto: Gránulos de color amarillo claro a gris
Densidad: 6,15 g/cm³
Punto de fusión: Aproximadamente 2.497 °C (antes de la descomposición)
Estructura cristalina: Hexagonal o cúbica
Embalaje interior: Bolsas selladas al vacío y envasadas en cajas para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o cajones de madera seleccionados en función del tamaño y el peso.
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