갈륨 나이트라이드는
화학식 GaN을 가진 3세대 광대역 갭 반도체 소재입니다. 상온에서 회흑색 결정 입자 형태로 존재하며, 약 3.4 eV의 넓은 직접 밴드갭, 매우 높은 열전도도, 전자 포화 주행 속도 및 파괴 전기장을 특징으로 합니다. 고효율 광전자 소자, 고주파/고전력 RF 부품, 차세대 전력 전자 시스템 제조의 핵심 기초 소재로서, 미래 정보 통신, 에너지 변환, 스마트 조명을 뒷받침하는 “초석” 소재로 평가받고 있습니다.
당사는 다양한 순도 등급, 입자 크기 사양, 전도도 유형의 고품질 갈륨 나이트라이드 과립을 제공합니다. 맞춤형 솔루션은 문의 바랍니다
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광대역 갭 반도체 (~3.4 eV)
초고전자 이동도 및 포화 속도
탁월한 열적·화학적 안정성
높은 파괴 전기장 강도
높은 직접 밴드갭 발광 효율
광전자 및 반도체 조명: 고효율 청색/녹색/백색 LED, 레이저 다이오드, UV LED 칩 제조용 에피택셜 기판 재료로 사용됩니다.
RF 및 마이크로파 통신: 5G/6G 통신 기지국, 위성 통신, 레이더 시스템용 고출력 고효율 RF 전력 증폭기에 사용됩니다.
전력 전자 및 고속 충전: 신에너지 차량, 데이터 센터 전원 공급 장치 및 GaN 고속 충전기에 널리 적용되는 고효율, 소형 전력 변환 장치 제조에 사용됩니다.
반도체 소자 기판: 고성능 전자 소자 제조를 위한 고품질 GaN 에피택셜 층을 성장시키기 위한 균일한 에피택시 기판 재료로 사용됩니다.
Q1: GaN과 SiC 입자의 주요 차이점은 무엇입니까?
A1: GaN은 더 높은 전자 이동도를 제공하여 고주파 응용 분야(예: 5G RF)에 더 적합합니다. SiC는 우수한 열전도성을 제공하여 초고전압 전력 응용 분야(예: 전기차 메인 드라이브)에 더 적합합니다.
Q2: GaN 입자에 필요한 순도 수준은 어떻게 되나요?
A2: 응용 분야에 따라 다릅니다. 고급 에피택셜 성장에는 일반적으로 5N(99.999%) 순도 이상이 필요하며, 특정 소결 또는 첨가제 용도에서는 4N(99.99%) 등급도 허용될 수 있습니다.
Q3: 제품 보관 방법은?
A3: 밀폐 용기에 담아 실온의 건조한 환경에서 보관하십시오. 산성/알칼리성 등 부식성 화학물질과의 접촉을 피하여 산화 및 오염을 방지해야 합니다.
Q4: GaN 소재가 상대적으로 비싼 이유는?
A4: 고품질 단결정 생산에 수반되는 높은 난이도, 상당한 기술적 장벽, 막대한 에너지 소비가 핵심 원인입니다. 또한 실리콘과 같은 기존 소재에 비해 현재 산업 규모가 상대적으로 작습니다.
각 배치에는 다음이 제공됩니다:
분석 증명서(COA)
물질 안전 보건 자료(MSDS)
요청 시 제3자 시험 보고서 제공
3세대 반도체 소재에 대한 깊은 기술 전문성을 바탕으로, 포괄적인 사양 범위의 신뢰할 수 있는 고성능 GaN 입자를 제공하며 전문적인 기술 선택 지원을 함께 제공합니다.
분자 공식: GaN
분자량: 83.73 g/mol
외관: 밝은 노란색에서 회색 과립
밀도: 6.15g/cm³
녹는점: 약 2,497°C(분해 전)
결정 구조: 육각형 또는 입방체
내부 포장: 오염 및 습기 방지를 위해 진공 밀봉 봉지에 포장 후 박스에 담습니다.
외부 포장: 크기와 무게에 따라 골판지 상자 또는 목재 크레이트를 선택합니다.
