Nitrure de gallium

Présentation des granulés de nitrure de gallium

Le nitrure de gallium
est un matériau semi-conducteur à large bande interdite de troisième génération dont la formule chimique est GaN. Il se présente sous forme de particules cristallines gris-noir dans des conditions normales et se caractérise par une large bande interdite directe d’environ 3,4 eV, une conductivité thermique exceptionnellement élevée, une vitesse de dérive électronique saturée et un champ électrique de claquage. Matériau de base essentiel à la fabrication de dispositifs optoélectroniques à haut rendement, de composants RF haute fréquence/haute puissance et de systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération, il est considéré comme le matériau « phare » qui sous-tend les communications informatiques, la conversion d’énergie et l’éclairage intelligent de demain.

Nous proposons des granulés de nitrure de gallium de haute qualité dans plusieurs degrés de pureté, tailles de particules et types de conductivité. Contactez-nous
pour obtenir des solutions personnalisées.

Points forts du produit

Semi-conducteur à large bande interdite (~3,4 eV)
Mobilité électronique et vitesse de saturation ultra-élevées
Excellente stabilité thermique et chimique
Forte intensité de champ électrique de claquage
Haute efficacité de luminescence à bande interdite directe

Applications des granulés de nitrure de gallium

Optoélectronique et éclairage à semi-conducteurs : sert de matériau de substrat épitaxial pour la fabrication de LED bleues/vertes/blanches à haut rendement, de diodes laser et de puces LED UV.
Communications RF et micro-ondes : utilisé dans les amplificateurs de puissance RF haute puissance et à haut rendement pour les stations de base de communication 5G/6G, les communications par satellite et les systèmes radar.
Électronique de puissance et recharge rapide : utilisé dans la fabrication de dispositifs de conversion de puissance compacts et à haut rendement largement utilisés dans les véhicules à énergie nouvelle, les alimentations électriques des centres de données et les chargeurs rapides GaN.
Substrats pour dispositifs semi-conducteurs : sert de matériau de substrat pour l’épitaxie homogène afin de développer des couches épitaxiales GaN de haute qualité pour la fabrication de dispositifs électroniques haute performance.

FAQ

Q1 : Quelles sont les principales différences entre les particules GaN et SiC ?
R1 : Le GaN offre une plus grande mobilité des électrons, ce qui le rend plus adapté aux applications à haute fréquence (par exemple, la 5G RF) ; le SiC offre une conductivité thermique supérieure, ce qui le rend plus adapté aux applications électriques à très haute tension (par exemple, les moteurs principaux des véhicules électriques).

Q2 : Quel niveau de pureté est requis pour les particules de GaN ?
R2 : Cela dépend de l’application. La croissance épitaxiale haut de gamme nécessite généralement une pureté de 5N (99,999 %) ou plus ; certaines utilisations de frittage ou d’additifs peuvent accepter une pureté de 4N (99,99 %).

Q3 : Comment le produit doit-il être stocké ?
A3 : Conservez-le dans un récipient hermétique à température ambiante dans un environnement sec. Évitez tout contact avec des produits chimiques corrosifs tels que les acides ou les alcalis afin de prévenir l’oxydation et la contamination.

Q4 : Pourquoi le GaN est-il relativement cher ?
A4 : Les principales raisons sont la grande difficulté, les obstacles techniques importants et la consommation d’énergie considérable liés à la production de monocristaux de haute qualité. De plus, l’échelle industrielle actuelle reste relativement petite par rapport aux matériaux traditionnels tels que le silicium.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Forts de notre expertise technique approfondie dans le domaine des matériaux semi-conducteurs de troisième génération, nous vous fournissons des particules de GaN fiables et hautement performantes dans une gamme complète de spécifications, ainsi qu’une assistance technique professionnelle pour la sélection.