티타늄 실리사이드

티타늄 실리사이드 스퍼터링 타겟 개요

티타늄 실리사이드
스퍼터링 타겟은 저저항, 고열안정성 티타늄 실리사이드 박막 증착에 주로 사용되는 고성능 금속 실리사이드 세라믹 타겟입니다. 본 제품은 반도체
집적회로의 접촉 비아, 상호연결부 및 게이트 제작에 널리 적용되며, 첨단 칩 제조에서 필수적인 핵심 소재 역할을 합니다.

당사는 고순도 및 고밀도의 다양한 사양의 TiSi₂ 스퍼터링 타겟을 제공합니다. 고객의 장비 요구사항에 따라 구리, 알루미늄, 몰리브덴 등 다양한 기판 재료에 대한 전문적인 본딩
서비스를 제공합니다.

제품 특징

고순도
탁월한 고밀도
정밀한 Si/Ti 화학량론 비율
안정적인 스퍼터링 성능을 가진 균일한 미세구조
저저항성 필름 특성

티타늄 실리사이드 스퍼터링 타겟의 응용 분야

반도체 접점 및 상호 연결:
실리콘 웨이퍼에 저저항 티타늄 실리사이드 필름(C54 상 TiSi₂)을 증착하여 트랜지스터 소스/드레인 및 게이트 단자를 위한 오믹 접점과 로컬 상호 연결을 형성함으로써 회로 지연을 크게 줄입니다.
배리어 및 접착층:
다층 상호연결 구조에서 TiSi₂ 박막은 효과적인 배리어 및 접착층 역할을 하여 금속 상호연결체와 실리콘 기판 간의 상호확산을 방지하고 장치 신뢰성을 향상시킵니다.
실리콘 기반 태양전지:
고효율 결정질 실리콘 태양전지의 후면 전극 및 접촉층 제조에 사용되어 캐리어 수집 효율을 향상시킵니다.
특수 기능성 코팅:
높은 경도와 우수한 화학적 불활성으로 인해 공구 및 금형 표면의 내마모성 및 내식성 코팅에 사용될 수 있습니다.

FAQs

Q1: 티타늄 실리사이드 타겟은 스퍼터링 시 어떻게 상 조성 및 낮은 저항률을 보장합니까?
A1: 타겟의 화학 성분을 정밀하게 제어하고 치밀하고 균일한 미세구조를 확보하여 거의 이상적인 상 구성을 달성합니다. 이후 신속 열처리(RTA)를 통해 고저항 C49 상에서 저저항 C54 상으로의 상변태를 촉진하여 원하는 특성을 구현합니다.

Q2: C49 상과 C54 상 TiSi₂ 필름의 주요 차이점은 무엇인가요?
A2: C49 상은 더 높은 저항률을 보이며, 박막 증착 후 초기 상입니다. 적절한 어닐링 처리를 거치면 극히 낮은 저항률을 가진 C54 상으로 변환되며, 이는 실제로 장치에 활용되는 기능적 상입니다.

Q3: 타겟 밀도가 왜 그렇게 중요한가요?
A3: 높은 밀도는 스퍼터링 중 입자 스플래터 및 비정상 방전을 효과적으로 방지하여 증착 안정성을 보장합니다. 이는 결함이 적은 균일하고 치밀한 박막을 생성하는 동시에 타겟 수명을 연장시킵니다.

Q4: 티타늄 실리사이드 타겟 재료는 어떤 스퍼터링 장비에 적합한가요?
A4: DC 마그네트론 스퍼터링 및 RF 마그네트론 스퍼터링 장비에 적합합니다. 표준 원형 및 직사각형 규격을 제공하며, 다양한 스퍼터링 음극 모델에 맞춰 맞춤형 치수도 제작 가능합니다.

보고서

각 배치에는 다음이 제공됩니다:
분석 증명서(COA)

기술 데이터 시트(TDS)

물질안전보건자료(MSDS)
치수 검사 보고서
요청 시 제3자 시험 보고서 제공

왜 저희를 선택해야 할까요?

고급 전자 재료 전문 공급업체로서, 당사는 마이크로/나노 제조 공정에서 TiSi₂ 타겟의 핵심적 역할을 깊이 이해하고 있습니다. SEMI 표준을 준수하는 고품질 타겟을 제공할 뿐만 아니라, 배치 간 일관성과 넓은 공정 범위를 최우선으로 합니다.