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Siliciuro di titanio

Chemical Name:
Siliciuro di titanio
Formula:
TiSi2
Product No.:
221401
CAS No.:
12039-83-7
EINECS No.:
234-904-3
Form:
Bersaglio di sputtering
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
221401ST001 TiSi2 99.9% Ø 50.8mm x 3.175mm Inquire
221401ST002 TiSi2 99.95% Ø 50.8mm x 6.35mm Inquire
221401ST003 TiSi2 99.95% Ø 76.2mm x 3.175mm Inquire
221401ST004 TiSi2 99.95% Ø 76.2mm x 6.35mm Inquire
221401ST005 TiSi2 99.95% Ø 101.6mm x 3.175mm Inquire
Product ID
221401ST001
Formula
TiSi2
Purity
99.9%
Dimension
Ø 50.8mm x 3.175mm
Product ID
221401ST002
Formula
TiSi2
Purity
99.95%
Dimension
Ø 50.8mm x 6.35mm
Product ID
221401ST003
Formula
TiSi2
Purity
99.95%
Dimension
Ø 76.2mm x 3.175mm
Product ID
221401ST004
Formula
TiSi2
Purity
99.95%
Dimension
Ø 76.2mm x 6.35mm
Product ID
221401ST005
Formula
TiSi2
Purity
99.95%
Dimension
Ø 101.6mm x 3.175mm

Panoramica dei target di sputtering in siliciuro di titanio

I target di sputtering
in siliciuro di titanio
sono target ceramici in siliciuro metallico ad alte prestazioni utilizzati principalmente per il deposito di film di siliciuro di titanio a bassa resistenza e alta stabilità termica. Questo prodotto è ampiamente utilizzato nella fabbricazione di vie di contatto, interconnessioni e gate per circuiti integrati a semiconduttori
, fungendo da materiale chiave indispensabile nella produzione avanzata di chip.

Offriamo target di sputtering TiSi₂ in diverse specifiche con elevata purezza e densità. Sono disponibili servizi di incollaggio
professionali su vari materiali di substrato (ad es. rame, alluminio, molibdeno) in base alle vostre esigenze di attrezzatura.

Caratteristiche principali del prodotto

Elevata purezza
Densità eccezionalmente elevata
Rapporto stechiometrico Si/Ti preciso
Microstruttura uniforme con prestazioni di sputtering stabili
Caratteristiche del film a bassa resistività

Applicazioni dei target di sputtering in siliciuro di titanio

Contatti e interconnessioni per semiconduttori:
deposita film di siliciuro di titanio a bassa resistenza (TiSi₂ in fase C54) su wafer di silicio per formare contatti ohmici per terminali di source/drain e gate dei transistor, nonché interconnessioni locali, riducendo significativamente il ritardo del circuito.
Strati barriera e di adesione:
nelle strutture di interconnessione multistrato, i film TiSi₂ fungono da efficaci strati barriera e di adesione, impedendo l’interdiffusione tra le interconnessioni metalliche e il substrato di silicio per migliorare l’affidabilità del dispositivo.
Celle solari al silicio:
utilizzati per la fabbricazione di elettrodi posteriori e strati di contatto in celle solari al silicio cristallino ad alta efficienza, migliorano l’efficienza di raccolta dei portatori.
Rivestimenti funzionali specializzati:
grazie alla sua elevata durezza e all’eccellente inerzia chimica, può essere utilizzato per rivestimenti resistenti all’usura e alla corrosione su superfici di utensili e stampi.

Domande frequenti

D1: In che modo il bersaglio di siliciuro di titanio garantisce la composizione di fase e la bassa resistività nella polverizzazione?
A1: Otteniamo una composizione di fase quasi ideale controllando con precisione la composizione chimica del target e garantendo una microstruttura densa e uniforme. La successiva ricottura termica rapida (RTA) facilita la trasformazione di fase da C49 ad alta resistenza a C54 a bassa resistenza, fornendo le proprietà desiderate.

D2: Qual è la differenza principale tra i film TiSi₂ in fase C49 e in fase C54?
A2: La fase C49 presenta una resistività più elevata ed è la fase iniziale dopo la deposizione del film. Dopo un adeguato trattamento di ricottura, si trasforma nella fase C54 con una resistività estremamente bassa, che è la fase funzionale effettivamente utilizzata nei dispositivi.

D3: Perché la densità del target è così importante?
A3: L’alta densità previene efficacemente gli schizzi di particelle e le scariche anomale durante la polverizzazione, garantendo la stabilità della deposizione. Ciò consente di ottenere film uniformi e densi con meno difetti, prolungando al contempo la durata del target.

D4: Per quali apparecchiature di sputtering è adatto il materiale target al siliciuro di titanio?
A4: Adatto per apparecchiature di sputtering con magnetron DC e RF. Offriamo dimensioni standard circolari e rettangolari, con dimensioni personalizzate disponibili per adattarsi a vari modelli di catodi di sputtering.

Rapporto

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporto di ispezione delle dimensioni
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

In qualità di fornitore specializzato di materiali elettronici avanzati, comprendiamo profondamente il ruolo fondamentale dei target TiSi₂ nella micro/nanofabbricazione. Non solo forniamo target di alta qualità conformi agli standard SEMI, ma diamo anche la priorità alla coerenza dei lotti e a un’ampia finestra di processo.

Formula molecolare: TiSi₂
Aspetto: Materiale target grigio
Densità: Circa 4,22 g/cm³
Punto di fusione: Circa 1880 °C
Struttura cristallina: Tetragonale

Imballaggio interno: sacchetti sottovuoto e scatole per prevenire la contaminazione e l’umidità.

Imballaggio esterno: cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.

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