珪化チタン

チタンシリサイドスパッタリングターゲットの概要

チタンシリサイドスパッタリング
ターゲット

は

、低抵抗・高熱安定性チタンシリサイド膜の成膜を主目的とした高性能金属系シリサイドセラミックターゲットです。半導体
集積回路のコンタクトビア、配線、ゲート形成に広く応用され、先端チップ製造に不可欠な基幹材料として機能します。

当社は高純度・高密度のTiSi₂スパッタリングターゲットを複数仕様で提供。お客様の装置要件に基づき、各種基板材料（銅、アルミニウム、モリブデン等）への専門的なボンディング
サービスも対応可能です。

製品特長

高純度
極めて高い密度
精密なSi/Ti化学量論比
均一な微細構造と安定したスパッタリング性能
低抵抗率の薄膜特性

チタンシリサイドスパッタリングターゲットの用途

半導体コンタクト・インターコネクト：
シリコンウェハー上に低抵抗チタンシリサイド膜（C54相TiSi₂）を堆積し、トランジスタのソース/ドレイン端子、ゲート端子、およびローカルインターコネクト用のオーム接触を形成。回路遅延を大幅に低減。
バリア層および接着層：
多層配線構造において、TiSi₂膜は効果的なバリア層および接着層として機能し、金属配線とシリコン基板間の相互拡散を防止し、デバイスの信頼性を向上させます。
シリコン系太陽電池：
高効率結晶シリコン太陽電池の背面電極およびコンタクト層の製造に使用され、キャリア収集効率を向上させる。
特殊機能性コーティング：
高い硬度と優れた化学的不活性により、工具や金型表面の耐摩耗性・耐食性コーティングに適用可能。

よくある質問

Q1: チタンシリサイドターゲットは、スパッタリングにおいて相組成と低抵抗率をどのように確保しますか？
A1: ターゲットの化学組成を精密に制御し、緻密で均一な微細構造を確保することで、ほぼ理想的な相組成を実現します。その後、急速熱処理（RTA）により高抵抗相C49から低抵抗相C54への相転移を促進し、所望の特性を得ます。

Q2: C49相とC54相のTiSi₂薄膜の主な違いは何ですか？
A2: C49相はより高い抵抗率を示し、成膜後の初期相です。適切なアニール処理後、極めて低い抵抗率を持つC54相へ転移し、これがデバイスで実際に利用される機能相となります。

Q3: ターゲット密度が極めて重要な理由は？
A3: 高密度化により、スパッタリング時の粒子飛散や異常放電を効果的に防止し、成膜安定性を確保します。これにより欠陥の少ない均一で緻密な膜が得られ、ターゲット寿命も延長されます。

Q4: チタンシリサイドターゲット材料はどのスパッタリング装置に適していますか？
A4: DCマグネトロンスパッタリングおよびRFマグネトロンスパッタリング装置に適しています。標準的な円形・矩形サイズに加え、各種スパッタリングカソードモデルに合わせたカスタム寸法も提供可能です。

報告書

各バッチには以下を添付：
分析証明書（COA）
技術データシート（TDS）
物質安全データシート（MSDS）
サイズ検査報告書
第三者機関による試験報告書はご要望に応じて提供可能です

当社を選ぶ理由

先端電子材料の専門サプライヤーとして、当社はTiSi₂ターゲットがマイクロ/ナノ加工において果たす重要な役割を深く理解しています。SEMI規格に準拠した高品質なターゲットを提供するだけでなく、バッチ間の一貫性と広いプロセスウィンドウを最優先に考慮しています。