Nitruro di gallio

Panoramica sui granuli di nitruro di gallio

Il nitruro di gallio
è un materiale semiconduttore di terza generazione a banda larga con formula chimica GaN. In condizioni normali si presenta sotto forma di particelle cristalline di colore grigio-nero, caratterizzate da un ampio bandgap diretto di circa 3,4 eV, una conduttività termica eccezionalmente elevata, una velocità di deriva di saturazione degli elettroni e un campo elettrico di rottura. Essendo un materiale fondamentale per la produzione di dispositivi optoelettronici ad alta efficienza, componenti RF ad alta frequenza/alta potenza e sistemi elettronici di potenza di nuova generazione, è considerato il materiale “fondamentale” alla base delle future comunicazioni informatiche, della conversione energetica e dell’illuminazione intelligente.

Offriamo granuli di nitruro di gallio di alta qualità in diversi gradi di purezza, specifiche di dimensione delle particelle e tipi di conduttività. Contattateci
per soluzioni personalizzate.

Caratteristiche principali del prodotto

Semiconduttore a banda larga (~3,4 eV)
Mobilità degli elettroni e velocità di saturazione ultra elevate
Eccellente stabilità termica e chimica
Elevata resistenza al campo elettrico di rottura
Elevata efficienza di luminescenza a banda proibita diretta

Applicazioni dei granuli di nitruro di gallio

Optoelettronica e illuminazione a semiconduttori: funge da materiale di substrato epitassiale per la produzione di LED blu/verdi/bianchi ad alta efficienza, diodi laser e chip LED UV.
Comunicazioni RF e microonde: utilizzato in amplificatori di potenza RF ad alta potenza e alta efficienza per stazioni base di comunicazione 5G/6G, comunicazioni satellitari e sistemi radar.
Elettronica di potenza e ricarica rapida: utilizzato nella produzione di dispositivi di conversione di potenza compatti ad alta efficienza ampiamente applicati nei veicoli a nuova energia, negli alimentatori dei data center e nei caricabatterie rapidi GaN.
Substrati per dispositivi a semiconduttori: funge da materiale di substrato per l’epitassia omogenea per la crescita di strati epitassiali GaN di alta qualità per la produzione di dispositivi elettronici ad alte prestazioni.

Domande frequenti

D1: Quali sono le principali differenze tra le particelle di GaN e SiC?
A1: Il GaN offre una maggiore mobilità degli elettroni, rendendolo più adatto alle applicazioni ad alta frequenza (ad esempio, 5G RF); il SiC offre una conduttività termica superiore, rendendolo più adatto alle applicazioni di alimentazione ad altissima tensione (ad esempio, azionamenti principali dei veicoli elettrici).

D2: Qual è il livello di purezza richiesto per le particelle di GaN?
R2: Dipende dall’applicazione. La crescita epitassiale di fascia alta richiede in genere una purezza di 5N (99,999%) o superiore; alcuni usi di sinterizzazione o additivi possono accettare un grado di 4N (99,99%).

D3: Come deve essere conservato il prodotto?
R3: Conservare in un contenitore sigillato a temperatura ambiente in un ambiente asciutto. Evitare il contatto con sostanze chimiche corrosive come acidi o alcali per prevenire l’ossidazione e la contaminazione.

D4: Perché il materiale GaN è relativamente costoso?
R4: Le ragioni principali includono l’elevata difficoltà, le significative barriere tecniche e il notevole consumo energetico coinvolti nella produzione di cristalli singoli di alta qualità. Inoltre, l’attuale scala industriale rimane relativamente piccola rispetto ai materiali tradizionali come il silicio.

Report

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

Sfruttando la nostra profonda competenza tecnica nei materiali semiconduttori di terza generazione, vi forniamo particelle di GaN affidabili e ad alte prestazioni in una gamma completa di specifiche, insieme a un supporto tecnico professionale nella selezione.