| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 221401ST001 | TiSi2 | 99.9% | Ø 50.8mm x 3.175mm | Inquire |
| 221401ST002 | TiSi2 | 99.95% | Ø 50.8mm x 6.35mm | Inquire |
| 221401ST003 | TiSi2 | 99.95% | Ø 76.2mm x 3.175mm | Inquire |
| 221401ST004 | TiSi2 | 99.95% | Ø 76.2mm x 6.35mm | Inquire |
| 221401ST005 | TiSi2 | 99.95% | Ø 101.6mm x 3.175mm | Inquire |
Les cibles de pulvérisation
en siliciure de titane
sont des cibles céramiques métalliques à haute performance principalement utilisées pour le dépôt de films de siliciure de titane à faible résistance et à haute stabilité thermique. Ce produit est largement utilisé dans la fabrication de vias de contact, d’interconnexions et de grilles pour les circuits intégrés à semi-conducteurs
, et constitue un matériau clé indispensable dans la fabrication de puces de pointe.
Nous proposons des cibles de pulvérisation en TiSi₂ dans plusieurs spécifications, avec une pureté et une densité élevées. Des services de liaison
professionnels à divers matériaux de substrat (par exemple, cuivre, aluminium, molybdène) sont disponibles en fonction des exigences de votre équipement.
Haute pureté
Densité exceptionnellement élevée
Rapport stœchiométrique Si/Ti précis
Microstructure uniforme avec des performances de pulvérisation stables
Caractéristiques de film à faible résistivité
Contacts et interconnexions de semi-conducteurs :
Dépose des films de siliciure de titane à faible résistance (phase C54 TiSi₂) sur des plaquettes de silicium pour former des contacts ohmiques pour les bornes source/drain et grille des transistors, ainsi que des interconnexions locales, réduisant considérablement le retard des circuits.
Couches barrières et adhésives :
dans les structures d’interconnexion multicouches, les films TiSi₂ servent de couches barrières et adhésives efficaces, empêchant l’interdiffusion entre les interconnexions métalliques et le substrat en silicium afin d’améliorer la fiabilité des dispositifs.
Cellules solaires à base de silicium :
utilisé pour la fabrication d’électrodes arrière et de couches de contact dans les cellules solaires en silicium cristallin à haut rendement, améliorant l’efficacité de la collecte des porteurs.
Revêtements fonctionnels spécialisés :
en raison de sa grande dureté et de son excellente inertie chimique, il peut être utilisé pour des revêtements résistants à l’usure et à la corrosion sur les surfaces d’outils et de moules.
Q1 : Comment la cible de siliciure de titane garantit-elle la composition de phase et la faible résistivité lors de la pulvérisation ?
R1 : Nous obtenons une composition de phase quasi idéale en contrôlant précisément la composition chimique de la cible et en garantissant une microstructure dense et uniforme. Le recuit thermique rapide (RTA) qui suit facilite la transformation de phase du C49 à haute résistance en C54 à faible résistance, offrant ainsi les propriétés souhaitées.
Q2 : Quelle est la principale différence entre les films TiSi₂ de phase C49 et de phase C54 ?
R2 : La phase C49 présente une résistivité plus élevée et constitue la phase initiale après le dépôt du film. Après un traitement de recuit approprié, elle se transforme en phase C54 avec une résistivité extrêmement faible, qui est la phase fonctionnelle réellement utilisée dans les dispositifs.
Q3 : Pourquoi la densité de la cible est-elle si importante ?
A3 : Une densité élevée empêche efficacement les projections de particules et les décharges anormales pendant la pulvérisation, garantissant ainsi la stabilité du dépôt. Cela permet d’obtenir des films uniformes et denses avec moins de défauts, tout en prolongeant la durée de vie de la cible.
Q4 : À quels équipements de pulvérisation le matériau cible en siliciure de titane est-il adapté ?
A4 : Il convient aux équipements de pulvérisation magnétron à courant continu et à courant radiofréquence. Nous proposons des tailles circulaires et rectangulaires standard, avec des dimensions personnalisées disponibles pour s’adapter à différents modèles de cathodes de pulvérisation.
Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)
Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapport d’inspection des dimensions
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande
En tant que fournisseur spécialisé dans les matériaux électroniques avancés, nous comprenons parfaitement le rôle essentiel des cibles TiSi₂ dans la micro/nanofabrication. Nous fournissons non seulement des cibles de haute qualité conformes aux normes SEMI, mais nous accordons également la priorité à la cohérence des lots et à une large fenêtre de traitement.
Formule moléculaire : TiSi₂
Aspect : Matériau cible gris
Densité : Environ 4,22 g/cm³
Point de fusion : Environ 1880 °C
Structure cristalline : Tétragonal
Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes afin d’éviter toute contamination et humidité.
Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.
Si vous avez besoin d'un service, veuillez nous contacter
