Titansilicid

Übersicht über Titansilicid-Sputter-Targets

Titansilicid
-Sputter-Targets sind hochleistungsfähige metallische Silicid-Keramik-Targets, die in erster Linie zur Abscheidung von Titansilicid-Schichten mit niedrigem Widerstand und hoher thermischer Stabilität verwendet werden. Dieses Produkt findet breite Anwendung bei der Herstellung von Kontaktdurchkontaktierungen, Verbindungen und Gates für integrierte Halbleiterschaltungen und ist ein unverzichtbarer Schlüsselwerkstoff in der modernen Chipfertigung.

Wir bieten TiSi₂-Sputtertargets in verschiedenen Spezifikationen mit hoher Reinheit und Dichte an. Je nach Ihren Geräteanforderungen bieten wir professionelle Bonding
-Dienstleistungen für verschiedene Substratmaterialien (z. B. Kupfer, Aluminium, Molybdän) an.

Produkt-Highlights

Hohe Reinheit
Außergewöhnlich hohe Dichte
Präzises stöchiometrisches Si/Ti-Verhältnis
Gleichmäßige Mikrostruktur mit stabiler Sputterleistung
Filmcharakteristik mit niedrigem spezifischen Widerstand

Anwendungen von Titansilicid-Sputter-Targets

Halbleiterkontakte und Verbindungen:
Deponiert Titansilicid-Filme mit niedrigem Widerstand (C54-Phase TiSi₂) auf Siliziumwafern, um ohmsche Kontakte für Transistor-Source/Drain- und Gate-Anschlüsse sowie lokale Verbindungen zu bilden, wodurch die Schaltungsverzögerung erheblich reduziert wird.
Barriere- und Haftschichten:
In mehrschichtigen Verbindungsstrukturen dienen TiSi₂-Filme als wirksame Barriere- und Haftschichten, die die Interdiffusion zwischen Metallverbindungen und dem Siliziumsubstrat verhindern und so die Zuverlässigkeit der Bauelemente verbessern.
Silizium-basierte Solarzellen:
Wird zur Herstellung von Rückelektroden und Kontaktschichten in hocheffizienten kristallinen Silizium-Solarzellen verwendet, um die Ladungsträger-Sammeleffizienz zu verbessern.
Spezialisierte Funktionsbeschichtungen:
Aufgrund seiner hohen Härte und ausgezeichneten chemischen Trägheit kann es für verschleißfeste und korrosionsbeständige Beschichtungen auf Werkzeug- und Formoberflächen verwendet werden.

Häufig gestellte Fragen

F1: Wie gewährleistet das Titansilizid-Target die Phasenzusammensetzung und den niedrigen spezifischen Widerstand beim Sputtern?
A1: Wir erreichen eine nahezu ideale Phasenzusammensetzung, indem wir die chemische Zusammensetzung des Targets präzise steuern und eine dichte, gleichmäßige Mikrostruktur sicherstellen. Das anschließende schnelle thermische Ausglühen (RTA) erleichtert die Phasenumwandlung von hochohmigem C49 zu niederohmigem C54 und liefert die gewünschten Eigenschaften.

F2: Was ist der Hauptunterschied zwischen C49-Phasen- und C54-Phasen-TiSi₂-Filmen?
A2: Die C49-Phase weist einen höheren spezifischen Widerstand auf und ist die Anfangsphase nach der Filmabscheidung. Nach einer geeigneten Temperbehandlung wandelt sie sich in die C54-Phase mit extrem niedrigem spezifischem Widerstand um, die die tatsächlich in Geräten verwendete Funktionsphase ist.

F3: Warum ist die Targetsdichte so wichtig?
A3: Eine hohe Dichte verhindert wirksam Partikelverspritzen und abnormale Entladungen während des Sputterns und gewährleistet so die Stabilität der Abscheidung. Dies führt zu gleichmäßigen, dichten Filmen mit weniger Defekten und verlängert gleichzeitig die Lebensdauer des Targets.

F4: Für welche Sputteranlagen ist Titansilicid-Targetmaterial geeignet?
A4: Geeignet für DC-Magnetron-Sputteranlagen und RF-Magnetron-Sputteranlagen. Wir bieten Standardgrößen in runder und rechteckiger Form an, wobei auch Sondergrößen für verschiedene Sputterkathodenmodelle erhältlich sind.

Bericht

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

. Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Als spezialisierter Anbieter von fortschrittlichen elektronischen Materialien wissen wir um die entscheidende Rolle von TiSi₂-Targets in der Mikro-/Nanofabrikation. Wir bieten nicht nur hochwertige Targets, die den SEMI-Standards entsprechen, sondern legen auch Wert auf Chargenkonsistenz und ein breites Prozessfenster.