Galliumnitrid

Übersicht über Galliumnitrid-Granulat

Galliumnitrid
ist ein Halbleitermaterial der dritten Generation mit großer Bandlücke und der chemischen Formel GaN. Unter normalen Bedingungen liegt es als grau-schwarze kristalline Partikel vor und zeichnet sich durch eine große direkte Bandlücke von etwa 3,4 eV, eine außergewöhnlich hohe Wärmeleitfähigkeit, Elektronensättigungsdriftgeschwindigkeit und Durchbruchfeldstärke aus. Als grundlegendes Kernmaterial für die Herstellung hocheffizienter optoelektronischer Bauelemente, Hochfrequenz-/Hochleistungs-HF-Komponenten und Leistungselektroniksysteme der nächsten Generation gilt es als „Grundstein“ für die Informationskommunikation, Energieumwandlung und intelligente Beleuchtung der Zukunft.

Wir bieten hochwertiges Galliumnitrid-Granulat in verschiedenen Reinheitsgraden, Partikelgrößen und Leitfähigkeitstypen an. Kontaktieren Sie uns
für maßgeschneiderte Lösungen.

Produkt-Highlights

Halbleiter mit großer Bandlücke (~3,4 eV)
Ultrahohe Elektronenbeweglichkeit und Sättigungsgeschwindigkeit
Ausgezeichnete thermische und chemische Stabilität
Hohe elektrische Durchbruchfeldstärke
Hohe Lumineszenzeffizienz mit direkter Bandlücke

Anwendungen von Galliumnitrid-Granulat

Optoelektronik und Halbleiterbeleuchtung: Dient als Epitaxiesubstratmaterial für die Herstellung von hocheffizienten blauen/grünen/weißen LEDs, Laserdioden und UV-LED-Chips.
HF- und Mikrowellenkommunikation: Wird in leistungsstarken, hocheffizienten HF-Leistungsverstärkern für 5G/6G-Kommunikationsbasisstationen, Satellitenkommunikation und Radarsysteme verwendet.
Leistungselektronik und Schnellladung: Wird bei der Herstellung hocheffizienter, kompakter Stromumwandlungsgeräte verwendet, die in neuen Energiefahrzeugen, Stromversorgungen für Rechenzentren und GaN-Schnellladegeräten weit verbreitet sind.
Halbleiterbauelement-Substrate: Dient als Substratmaterial für die homogene Epitaxie zum Aufwachsen hochwertiger GaN-Epitaxieschichten für die Herstellung leistungsstarker elektronischer Bauelemente.

Häufig gestellte Fragen

F1: Was sind die Hauptunterschiede zwischen GaN- und SiC-Partikeln?
A1: GaN bietet eine höhere Elektronenbeweglichkeit und eignet sich daher besser für Hochfrequenzanwendungen (z. B. 5G-HF); SiC bietet eine überlegene Wärmeleitfähigkeit und eignet sich daher besser für Ultrahochspannungsanwendungen (z. B. Hauptantriebe von Elektrofahrzeugen).

F2: Welcher Reinheitsgrad ist für GaN-Partikel erforderlich?
A2: Das hängt von der Anwendung ab. Für das Epitaxie-Wachstum im High-End-Bereich ist in der Regel eine Reinheit von 5N (99,999 %) oder höher erforderlich; für bestimmte Sinter- oder Additivanwendungen kann eine Reinheit von 4N (99,99 %) ausreichend sein.

F3: Wie sollte das Produkt gelagert werden?
A3: In einem verschlossenen Behälter bei Raumtemperatur in einer trockenen Umgebung lagern. Kontakt mit korrosiven Chemikalien wie Säuren oder Laugen vermeiden, um Oxidation und Verunreinigungen zu verhindern.

F4: Warum ist GaN-Material relativ teuer?
A4: Die Hauptgründe sind die hohe Schwierigkeit, erhebliche technische Hindernisse und der erhebliche Energieverbrauch bei der Herstellung hochwertiger Einkristalle. Darüber hinaus ist der derzeitige industrielle Maßstab im Vergleich zu traditionellen Materialien wie Silizium noch relativ klein.

Bericht

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern auf Anfrage erhältlich

Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Dank unserer fundierten technischen Expertise im Bereich der Halbleitermaterialien der dritten Generation bieten wir Ihnen zuverlässige, leistungsstarke GaN-Partikel in einer umfassenden Auswahl an Spezifikationen sowie professionelle Unterstützung bei der technischen Auswahl.