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酸化バナジウム

Chemical Name:
酸化バナジウム
Formula:
V2O3
Product No.:
230800
CAS No.:
1314-34-7
EINECS No.:
215-230-9
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
230800ST001 V2O3 99.9% Ø 76.2mm x 3.175mm Inquire
Product ID
230800ST001
Formula
V2O3
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2mm x 3.175mm

酸化バナジウムスパッタリングターゲット概要

酸化バナジウム
スパッタリングターゲット

特殊な電気的・構造的特性を有する酸化物薄膜の作製に適した重要な遷移金属酸化物ターゲットです。本製品は機能性薄膜、電子デバイス研究、相変化関連材料・プロセスの開発に広く利用されています。

各種サイズ・構造のV₂O₃スパッタリングターゲットを提供し、プロセスマッチングやカスタム加工をサポートします。 技術サポート
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製品の特長

安定した酸化物組成
高ターゲット密度
制御可能なスパッタリングプロセス
良好な薄膜再現性
各種成膜プロセスとの互換性
バックプレーンボンディング
対応

酸化バナジウムスパッタリングターゲットの応用

機能性酸化物薄膜作製:
遷移金属酸化物薄膜の成膜に使用可能で、特定の電気的・構造的特性を要求する用途の要件を満たします。

相変化材料・デバイス研究:
温度や外部電場に関連する相変化挙動の研究に多用され、相変化機能性材料の重要な成膜源となります。

電子デバイス・微細/ナノデバイス応用:
電子デバイスや微細/ナノ構造の作製時、V₂O₃薄膜はデバイス構造設計における機能層として機能します。

研究及びプロセスパラメータ開発:
大学や研究機関において、スパッタリングプロセスの最適条件探索や薄膜性能制御の研究に適している。

よくある質問

Q1:酸化バナジウムスパッタリングターゲットはどのスパッタリング法に適していますか?
A1:装置構成に応じて、RFスパッタリングに使用可能であり、適切な条件下ではDCスパッタリングにも使用できます。

Q2: V₂O₃ターゲット使用時に雰囲気制御は必要ですか?
A2: 通常、所望の薄膜組成・構造を得るためには成膜雰囲気の制御が必要です。

Q3: 酸化バナジウムスパッタリングターゲットはバックプレーンボンディング可能ですか?
A3: はい。用途要件に応じて、放熱性や取付安定性を向上させるため金属バックプレーンへのボンディングが可能です。

Q4: 酸化バナジウムターゲットは研究用途と生産用途のどちらに適していますか?
A4: 現在主に科学研究や小規模プロセス開発に使用されていますが、特定の機能性薄膜のパイロット生産にも適しています。

報告書

各ロットに付属:
分析証明書(COA)

技術データシート(TDS)

安全データシート(MSDS)
サイズ検査報告書
第三者試験報告書はご要望に応じて提供可能

なぜ当社を選ぶのか?

当社は酸化物スパッタリングターゲット分野で継続的な供給実績を有し、薄膜堆積および相転移研究におけるV₂O₃の応用特性に精通しています。安定したターゲット品質、明確な技術情報、柔軟なカスタマイズ
サポートを提供し、お客様の研究・応用プロジェクトの効率的な推進を支援します。

分子式V₂O₃
分子量:149.87 g/mol
外観黒色または濃青色の金属光沢
密度:5.3 g/cm³
融点:1710
結晶構造:菱面体

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。

資料

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