ULPMAT

ケイ化タングステン

Chemical Name:
ケイ化タングステン
Formula:
WSi2
Product No.:
741400
CAS No.:
12039-88-2
EINECS No.:
234-909-0
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
741400ST001 WSi2 99.5% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
741400ST002 WSi2 99.5% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
741400ST003 WSi2 99.5% Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
741400ST004 WSi2 99.5% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
741400ST005 WSi2 99.5% Ø 101.6 mm x 6.35 mm Inquire
Product ID
741400ST001
Formula
WSi2
Purity
99.5%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
741400ST002
Formula
WSi2
Purity
99.5%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
741400ST003
Formula
WSi2
Purity
99.5%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Product ID
741400ST004
Formula
WSi2
Purity
99.5%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm
Product ID
741400ST005
Formula
WSi2
Purity
99.5%
Dimension
Ø 101.6 mm x 6.35 mm

ケイ化タングステンスパッタリングターゲット 概要

タングステンシリサイド スパッタリングターゲットは、高性能薄膜蒸着アプリケーション用に設計された複合ターゲット材料です。タングステンの高融点とシリコンの化学的安定性を併せ持ち、優れた熱安定性、抵抗率制御能力、良好な膜の均一性を有し、マイクロエレクトロニクスデバイス、抵抗膜、硬質保護膜に非常に適しています。

弊社は、円形、長方形、様々な複合構造など、様々なサイズと形状のケイ化タングステンスパッタリングターゲットを提供することができ、様々なPVDプロセスの要件を満たすためにカスタマイズされたサービスをサポートします。ご使用中にご不明な点がございましたら、お気軽にお問い合わせください。 技術サポートおよび アフターサービスを提供いたします。

製品ハイライト

純度:99.5
緻密な構造により、安定したスパッタリングプロセスと均一な膜を実現
硬度が高く、耐食性に優れ、過酷な環境に適している。
カスタマイズ お客様のニーズに応じて、サイズ、形状、穴位置、バックプレーン設計が可能です。
良好な抵抗率制御、薄膜抵抗器やバリア層に最適

ケイ化タングステンスパッタリングターゲットの用途

マイクロエレクトロニクスデバイス金属の拡散を防ぎ、デバイスの信頼性を向上させるためのバリア層または層間材料として
薄膜抵抗器安定した抵抗率と良好な温度係数を有する精密抵抗膜に使用される。
ハードコート工具や金型などの表面の耐摩耗性、耐食性向上
MEMS/センサーデバイスの性能や寿命を向上させる機能性フィルムとして使用されます。

レポート

提供 製品安全データシート(MSDS)WSi₂スパッタリングターゲットの各バッチの分析証明書(COA)と関連するテストレポートを提供し、製品が品質と安全基準を満たしていることを保証するために、お客様が指定した第三者試験要件をサポートします。

分子式WSi₂
分子量:240.01g/mol
外観灰黒色金属光沢セラミックターゲット、緻密で平坦な表面
密度:約9.3 g/cm³(理論密度に近い)
融点:約2,160 °C
結晶構造:正方晶系

包装:真空シールされた袋と、汚染や湿気を防ぐための箱詰め。

外箱梱包:サイズと重量に応じて選択されたカートンまたは木枠。

SKU 741400ST カテゴリー ブランド:

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