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ガリウム・テルル

Chemical Name:
ガリウム・テルル
Formula:
GaTe
Product No.:
315200
CAS No.:
12024-14-5
EINECS No.:
234-690-1
Form:
パウダー
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
315200PD001 GaTe 99.999% -160 Mesh Inquire
Product ID
315200PD001
Formula
GaTe
Purity
99.999%
Dimension
-160 Mesh

ガリウムテルル化物粉末の概要

ガリウムテルル化物
粉末は、化学式GaTeの高純度III-VI族化合物半導体材料です。本品は灰色から黒色の微細結晶性粉末として現れ、典型的な層状結晶構造と約1.0~1.8 eVの狭い直接バンドギャップを示します。 優れた光電応答性、熱電変換ポテンシャル、およびユニークな相変化特性を兼ね備え、先進的な赤外線検出、新エネルギー応用、最先端ナノデバイス研究開発における重要な基盤材料として機能します。

当社は複数の純度グレードと粒子サイズ仕様の高品質ガリウムテルル化物粉末を提供し、専門的な密封包装が可能です。サンプルについてはお問い合わせください

製品特長

・狭い直接バンドギャップ半導体特性
・独自の層状(二次元)結晶構造
・優れた光電子・熱電性能
・相変化材料としての応用可能性
・高い化学的純度と安定性

ガリウムテルル粉末の応用

赤外線光電子・検出:特定赤外線帯域に感応する高性能近赤外線光検出器および発光デバイスの製造に使用。
熱電エネルギー変換:廃熱を直接電力に変換する高効率熱電モジュール開発用の熱電材料として機能。
フロンティア2D材料:新規物理特性の研究と革新的デバイス実現を目的とした2D GaTeナノシート製造の前駆体として作用。
相変化メモリ研究:高速可逆結晶相転移特性を活かし、次世代相変化メモリの候補材料として探索中。

よくある質問

Q1: GaTe粉末とGa₂Te₃粉末の違いは何ですか?
A1: 根本的な違いは化学組成と特性にあります。GaTeは1:1の化合物でバンドギャップが狭く、光電子デバイスに適しています。Ga₂Te₃はテルル過多化合物で、一般的に優れた熱電性能を示します。

Q2: 製品の保管方法は?
A2: 本品は空気に敏感です。酸化・劣化防止のため、湿気と光を厳重に遮断し、乾燥した不活性ガス環境下で密封保管してください。

Q3: 使用時の安全リスクは?
A3: テルル化物には一定の毒性があります。粉塵の吸入を避け、保護具を着用し、換気の良い場所で作業し、安全手順を遵守してください。

Q4: GaTe粉末の主な利点は?
A4: 適切な狭帯域の直接バンドギャップと層状構造が特長であり、赤外線検出や新規二次元電子デバイスへの応用可能性を有しています。

報告書

各バッチには以下が付属:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
物質安全データシート(MSDS)
第三者試験報告書(要請求)

当社を選ぶ理由

テルル化物などの特殊半導体材料における技術的専門性を活かし、安定した信頼性の高い高純度GaTe粉末と専門的なアプリケーションサポートを提供します。

分子式GaTe
分子量:165.72 g/mol
外観灰黒色粉末
密度: 5.76 g/cm³
融点約780 °C
結晶構造:単斜晶

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。

資料

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