Galliumtellurid
-Pulver ist ein hochreines III-VI-Verbindungshalbleitermaterial mit der chemischen Formel GaTe. Dieses Produkt erscheint als graues bis schwarzes feinkristallines Pulver und weist eine typische Schichtkristallstruktur und eine schmale direkte Bandlücke von etwa 1,0–1,8 eV auf. Durch die Kombination von hervorragender photoelektrischer Reaktion, thermoelektrischem Umwandlungspotenzial und einzigartigen Phasenwechsel-Eigenschaften dient es als wichtiges Grundmaterial für fortschrittliche Infrarotdetektion, neue Energieanwendungen und die Forschung und Entwicklung modernster Nanogeräte.
Wir bieten hochwertiges Galliumtellurid-Pulver in verschiedenen Reinheitsgraden und Partikelgrößen an, das in professionellen versiegelten Verpackungen erhältlich ist. Kontaktieren Sie uns
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Eigenschaften eines Halbleiters mit schmaler direkter Bandlücke
Einzigartige geschichtete (zweidimensionale) Kristallstruktur
Hervorragende optoelektronische und thermoelektrische Leistung
Potenzial für Anwendungen als Phasenwechselmaterial
Hohe chemische Reinheit und Stabilität
Infrarot-Optoelektronik und -Detektion: Wird zur Herstellung von leistungsstarken Nahinfrarot-Fotodetektoren und lichtemittierenden Bauelementen verwendet, die auf bestimmte Infrarotbänder reagieren.
Thermoelektrische Energieumwandlung: Dient als thermoelektrisches Material für die Entwicklung effizienter thermoelektrischer Leistungsmodule, die Abwärme direkt in Elektrizität umwandeln.
Zukunftsweisende 2D-Materialien: Dient als Vorläufer für die Herstellung von 2D-GaTe-Nanoschichten zur Untersuchung neuartiger physikalischer Eigenschaften und zur Ermöglichung neuartiger Geräte.
Forschung zu Phasenwechsel-Speichern: Wird aufgrund seiner schnellen reversiblen Kristallphasenübergänge als Kandidat für Phasenwechsel-Speicher der nächsten Generation untersucht.
F1: Was ist der Unterschied zwischen GaTe-Pulver und Ga₂Te₃-Pulver?
A1: Der wesentliche Unterschied liegt in ihrer Stöchiometrie und ihren Eigenschaften. GaTe ist eine 1:1-Verbindung mit einer schmaleren Bandlücke, die für optoelektronische Geräte geeignet ist. Ga₂Te₃ ist eine telluridreiche Verbindung, die in der Regel eine überlegene thermoelektrische Leistung aufweist.
F2: Wie sollte das Produkt gelagert werden?
A2: Dieses Produkt ist luftempfindlich. Lagern Sie es versiegelt in einer trockenen, inerten Gasumgebung und schützen Sie es streng vor Feuchtigkeit und Licht, um Oxidation und Zersetzung zu verhindern.
F3: Gibt es Sicherheitsrisiken bei der Verwendung?
A3: Telluride besitzen eine gewisse Toxizität. Vermeiden Sie das Einatmen von Staub während der Handhabung. Arbeiten Sie in einem gut belüfteten Bereich, tragen Sie Schutzausrüstung und halten Sie sich an die Sicherheitsvorschriften.
F4: Was sind die Hauptvorteile von GaTe-Pulver?
A4: Seine Hauptstärken liegen in seiner geeigneten schmalen direkten Bandlücke und seiner Schichtstruktur, die ein einzigartiges Potenzial für die Infrarotdetektion und neuartige zweidimensionale elektronische Bauelemente bieten.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern auf Anfrage erhältlich
Dank unserer technischen Expertise im Bereich spezieller Halbleitermaterialien wie Telluriden bieten wir stabiles, zuverlässiges und hochreines GaTe-Pulver sowie professionellen Anwendungssupport.
Molekulare Formel: GaTe
Molekulargewicht: 165,72 g/mol
Erscheinungsbild: Grauschwarzes Pulver
Dichte: 5,76 g/cm³
Schmelzpunkt: Ungefähr 780 °C
Kristallstruktur: Monoklin
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
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