ULPMAT

インジウム・スズ酸化物(ITO)

Chemical Name:
インジウム・スズ酸化物(ITO)
Formula:
In2O3-SnO2
Product No.:
4908500800
CAS No.:
50926-11-9
EINECS No.:
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
4908500800ST001 In2O3-SnO2 (90/10 wt%) 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
4908500800ST002 In2O3-SnO2 (95/5 wt%) 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
4908500800ST003 In2O3-SnO2 (90/10 wt%) 99.99% Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
4908500800ST004 In2O3-SnO2 (95/5 wt%) 99.99% Ø 101.6 mm x 4 mm Inquire
4908500800ST005 In2O3-SnO2 (90/10 wt%) 99.99% Ø 101.6 mm x 6.35 mm Inquire
4908500800ST006 In2O3-SnO2 (90/10 wt%) 99.99% Ø 152.4 mm x 3.175 mm Inquire
4908500800ST007 In2O3-SnO2 (90/10 wt%) 99.99% Ø 152.4 mm x 6.35 mm Inquire
4908500800ST008 In2O3-SnO2 (90/10 wt%) 99.99% Ø 203.2 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
4908500800ST001
Formula
In2O3-SnO2 (90/10 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
4908500800ST002
Formula
In2O3-SnO2 (95/5 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
4908500800ST003
Formula
In2O3-SnO2 (90/10 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Product ID
4908500800ST004
Formula
In2O3-SnO2 (95/5 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 4 mm
Product ID
4908500800ST005
Formula
In2O3-SnO2 (90/10 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 6.35 mm
Product ID
4908500800ST006
Formula
In2O3-SnO2 (90/10 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 3.175 mm
Product ID
4908500800ST007
Formula
In2O3-SnO2 (90/10 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 6.35 mm
Product ID
4908500800ST008
Formula
In2O3-SnO2 (90/10 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 203.2 mm x 3.175 mm

インジウム錫酸化物スパッタリングターゲットの概要

酸化インジウムスズスパッタリングターゲット(In2O3-SnO2)は、薄膜エレクトロニクス、オプトエレクトロニクスデバイス、および半導体アプリケーションに広く使用されている高純度透明導電性酸化物(TCO)材料です。優れた導電性、光学的透明性、均一な成膜性を持つITOスパッタリングターゲットは、高度なディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、その他の薄膜デバイスの製造に不可欠です。当社のターゲットは、純度99.99%(4N)、緻密な構造、安定した性能を確保し、産業用および研究用アプリケーションに使用されています。

私たちは、メーカーや研究機関に高品質のITOスパッタリングターゲットを供給しています。最高の価格と テクニカルサポートまでお問い合わせください。

インジウム錫酸化物スパッタリングターゲットの製品ハイライト

優れた純度:99.99% (4N)の純度は、薄膜およびTCO用途の厳しい要件を満たします。
高性能:オプトエレクトロニクスデバイス用の優れた導電性と光学的透明性。
安定した材料:緻密な構造、不純物の少なさ、均一な組成により、再現性の高い薄膜が得られます。
柔軟なサイズ:様々な蒸着システムに対応するため、様々な寸法をご用意しています。

高品質酸化インジウム錫スパッタリングターゲットの用途

薄膜エレクトロニクス透明電極、薄膜トランジスタ(TFT)、OLEDディスプレイに応用。
オプトエレクトロニクス デバイス:タッチパネル、光検出器、赤外線センサー、フレキシブル・エレクトロニクスに使用される。
太陽電池先進的なCIGS太陽電池やペロブスカイト太陽電池の透明電極層に適している。
研究開発材料科学やデバイス研究の研究所で広く使用されている。
エネルギーデバイスエネルギー変換・貯蔵用途の透明導電膜に応用。

弊社を選ぶ理由

業界の専門知識:TCOおよび薄膜技術用の高純度スパッタリングターゲットに特化しています。
カスタマイズされたソリューション:ターゲット組成、寸法、バッキングプレートの選択に柔軟に対応。
信頼できる品質:厳格な不純物管理、緻密な構造、均一な組成により、安定した性能を保証します。
グローバル配送:保護梱包による迅速で安全な世界中への配送。
技術サポート:専門チームは、完全な技術文書とコンサルティングを提供します。

よくある質問

F1.In2O3-SnO2スパッタリングターゲットの純度を教えてください。
A1.当社のITOターゲットの標準純度は99.99%(4N)であり、高度な薄膜およびオプトエレクトロニクス用途において信頼性の高い結果をお約束します。

F2.In:Sn比やターゲットサイズのカスタマイズは可能ですか?
A2.In:Sn比やターゲットの寸法は、蒸着システムの要件に応じてカスタマイズ可能です。

F3.In2O3-SnO2ターゲットはどのように保管、取り扱えばよいですか?
A3.密閉容器に入れ、涼しく乾燥した環境で保管してください。取り扱い中は、湿気、ほこり、汚染を避けてください。

F4.In2O3-SnO2ターゲットはどのような産業でよく使用されていますか?
A4.薄膜エレクトロニクス、OLEDディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、オプトエレクトロニクス、研究所などで広く使用されています。

F5.工業用または研究用の技術レポートはありますか?
A5.はい、各バッチにはCOA、TDS、MSDS、ICP-MS不純物レポートが付属しています。ご要望があれば、第三者機関による試験報告書も入手可能です。

レポート

製品の各バッチには以下が添付されています:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
製品安全データシート(MSDS)
ご要望に応じて、工業規格および研究規格に適合する第三者試験報告書をご提供いたします。

分子式In₂O₃-SnO₂
外観オフホワイトまたはシルバーグレーの緻密なターゲット
融点:~1900
沸点:~2000
結晶構造立方晶(In₂O₃を主相とする)

包装:真空シールされた袋と、汚染や湿気を防ぐための箱詰め。

外箱梱包:サイズと重量に応じて選択されたカートンまたは木枠。

SKU 4908500800ST カテゴリー ブランド:

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