| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 301600ST001 | ZnS | 99.99% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST002 | ZnS | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST003 | ZnS | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 301600ST004 | ZnS | 99.99% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 301600ST005 | ZnS | 99.99% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST006 | ZnS | 99.99% | Ø 152.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST007 | ZnS | 99.99% | Ø 152.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
Il target di solfuro di zinco è un materiale ceramico composto composto da zinco e zolfo in un rapporto stechiometrico quasi 1:1. È ampiamente utilizzato nei processi di deposizione fisica del vapore (PVD) per la produzione di film sottili ottici e infrarossi. Lo ZnS è classificato come semiconduttore composto II-VI con un ampio bandgap di circa: 3,5 – 3,7 eV。Questo ampio bandgap ne consente l’uso nei rivestimenti ottici che richiedono un’elevata trasparenza dalle lunghezze d’onda del visibile all’infrarosso.
ULPMAT fornisce target di sputtering ZnS ad alta densità con microstruttura controllata, bassi livelli di impurità e comportamento di deposizione stabile per applicazioni PVD sia su scala industriale che di ricerca.
Lo ZnS presenta caratteristiche sia di semiconduttore che di ceramica ottica, a seconda delle condizioni di deposizione.
I target ZnS sono tipicamente utilizzati nei sistemi di sputtering magnetronico RF grazie alla loro natura composta.
Finestra tipica del processo di sputtering:
Densità di potenza RF: 1 – 5 W/cm²
Pressione di lavoro: 2 – 10 mTorr (atmosfera Ar)
Temperatura del substrato: < 200°C raccomandata
Gas di deposizione: Argon (Ar), talvolta con O₂ controllato < 1-3%
Considerazioni sul comportamento del processo:
Bassa pressione (<2 mTorr): maggiore densità del film ma maggiore rischio di stress
Elevata potenza (>5 W/cm²): aumento del rischio di rievaporazione dello zolfo
Temperatura elevata (>250°C): può verificarsi una deviazione stechiometrica
La densità del target influenza direttamente la stabilità del plasma e la qualità del film.
I target ad alta densità (≥95% di densità teorica) forniscono:
I target a bassa densità possono introdurre:
Le prestazioni dei film sottili di ZnS dipendono in larga misura dal controllo del rapporto Zn:S.
Q1: Perché lo ZnS è utilizzato principalmente nello sputtering RF?
A1: Perché lo ZnS è un materiale semiconduttore composto che richiede un plasma RF per un controllo stabile dello sputtering.
Q2: Cosa influisce maggiormente sulla qualità ottica del film sottile di ZnS?
A2: Il controllo della stechiometria e la contaminazione da ossigeno sono i fattori più critici.
D3: Qual è la temperatura tipica del substrato per la deposizione di ZnS?
A3: Di solito è inferiore a 200°C per evitare la perdita di zolfo e la deviazione della composizione.
D4: Perché è importante un target ZnS ad alta densità?
A4: Una maggiore densità migliora la stabilità del plasma e riduce la formazione di particelle.
Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)
Scheda tecnica (TDS)
Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta
ULPMAT fornisce target ZnS progettati per la deposizione stabile di film sottili:
Formula molecolare: ZnS
Peso molecolare: 97,45 g/mol
Aspetto: Bersaglio ceramico denso di colore da bianco a giallo chiaro, con superficie liscia e uniforme.
Densità: 4,09 g/cm³
Punto di fusione: 1.850 °C
Punto di ebollizione: 2.200 °C (prima della decomposizione)
Struttura cristallina: Due forme cristalline: Blenda di zinco cubica (F-43m) e Wurtzite esagonale (P6₃mc).
Imballaggio interno: Sacchetti sigillati sottovuoto e imballati per evitare la contaminazione e l’umidità.
Imballaggio esterno: Cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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