La poudre
de tellurure de gallium
est un matériau semi-conducteur composé III-VI de haute pureté dont la formule chimique est GaTe. Ce produit se présente sous la forme d’une poudre cristalline fine de couleur grise à noire, présentant une structure cristalline en couches typique et une bande interdite directe étroite d’environ 1,0 à 1,8 eV. Combinant une réponse photoélectrique exceptionnelle, un potentiel de conversion thermoélectrique et des propriétés de changement de phase uniques, il sert de matériau de base essentiel pour la détection infrarouge avancée, les nouvelles applications énergétiques et la R&D de pointe dans le domaine des nanodispositifs.
Nous proposons une poudre de tellurure de gallium de haute qualité dans plusieurs degrés de pureté et spécifications de taille de particules, avec un emballage scellé professionnel disponible. Contactez-nous
pour obtenir des échantillons.
Propriétés semi-conductrices à bande interdite directe étroite
Structure cristalline unique en couches (bidimensionnelle)
Excellentes performances optoélectroniques et thermoélectriques
Potentiel pour les applications de matériaux à changement de phase
Haute pureté chimique et stabilité
Optoélectronique et détection infrarouge : utilisée pour fabriquer des photodétecteurs à infrarouge proche et des dispositifs électroluminescents haute performance réactifs à des bandes infrarouges spécifiques.
Conversion d’énergie thermoélectrique : sert de matériau thermoélectrique pour le développement de modules d’énergie thermoélectrique efficaces qui convertissent directement la chaleur perdue en électricité.
Matériaux 2D de pointe : sert de précurseur pour la fabrication de nanofeuilles 2D de GaTe afin d’étudier de nouvelles propriétés physiques et de permettre la création de nouveaux dispositifs.
Recherche sur les mémoires à changement de phase : exploré comme matériau candidat pour les mémoires à changement de phase de nouvelle génération, tirant parti de ses transitions de phase cristalline réversibles rapides.
Q1 : Quelle est la différence entre la poudre de GaTe et la poudre de Ga₂Te₃ ?
A1 : La différence fondamentale réside dans leur stœchiométrie et leurs propriétés. Le GaTe est un composé 1:1 avec une bande interdite plus étroite, qui convient particulièrement aux dispositifs optoélectroniques ; le Ga₂Te₃ est un composé riche en tellurure qui présente généralement des performances thermoélectriques supérieures.
Q2 : Comment le produit doit-il être stocké ?
A2 : Ce produit est sensible à l’air. Stockez-le dans un environnement sec et inerte, hermétiquement fermé, à l’abri de l’humidité et de la lumière afin d’éviter toute oxydation et dégradation.
Q3 : Y a-t-il des risques pour la sécurité lors de l’utilisation ?
A3 : Les tellurures possèdent une certaine toxicité. Évitez d’inhaler la poussière lors de la manipulation. Travaillez dans un endroit bien ventilé, portez un équipement de protection et respectez les protocoles de sécurité.
Q4 : Quels sont les principaux avantages de la poudre GaTe ?
A4 : Ses principaux atouts résident dans sa bande interdite étroite et appropriée et sa structure en couches, qui offrent un potentiel unique pour la détection infrarouge et les nouveaux dispositifs électroniques bidimensionnels.
Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)
Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande
Forts de notre expertise technique dans le domaine des matériaux semi-conducteurs spécialisés tels que les tellurures, nous fournissons une poudre de GaTe stable, fiable et de haute pureté, ainsi qu’une assistance professionnelle pour ses applications.
Formule moléculaire : GaTe
Poids moléculaire : 165,72 g/mol
Aspect : poudre gris-noir : Poudre noire grisâtre
Densité : 5.76 g/cm³
Point de fusion : Environ 780 °C
Structure cristalline : Monoclinique
Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes afin d’éviter toute contamination et humidité.
Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.
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