| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 301600ST001 | ZnS | 99.99% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST002 | ZnS | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST003 | ZnS | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 301600ST004 | ZnS | 99.99% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 301600ST005 | ZnS | 99.99% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST006 | ZnS | 99.99% | Ø 152.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST007 | ZnS | 99.99% | Ø 152.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
La cible de pulvérisation de sulfure de zinc est un matériau céramique composé de zinc et de soufre dans un rapport stœchiométrique proche de 1:1. Il est largement utilisé dans les processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour produire des films minces optiques et infrarouges. Le ZnS est classé comme un semi-conducteur composé II-VI avec une large bande interdite d’environ 3,5 – 3,7 eV。Cette large bande interdite permet son utilisation dans les revêtements optiques nécessitant une grande transparence des longueurs d’onde du visible à l’infrarouge.
ULPMAT fournit des cibles de pulvérisation ZnS de haute densité avec une microstructure contrôlée, de faibles niveaux d’impuretés et un comportement de dépôt stable pour les applications PVD à l’échelle industrielle et de recherche.Contactez-nous.
Le ZnS présente des caractéristiques de semi-conducteur et de céramique optique en fonction des conditions de dépôt.
Les cibles ZnS sont généralement utilisées dans les systèmes de pulvérisation magnétron RF en raison de leur nature composée.
Fenêtre typique du processus de pulvérisation :
Densité de puissance RF : 1 – 5 W/cm²
Pression de travail : 2 – 10 mTorr (atmosphère Ar)
Température du substrat : < 200°C recommandé
Gaz de dépôt : Argon (Ar), parfois avec O₂ contrôlé < 1-3%
Considérations sur le comportement du procédé :
Faible pression (<2 mTorr) : densité de film plus élevée mais risque de contrainte accru
Puissance élevée (>5 W/cm²) : risque accru de réévaporation du soufre
Température élevée (>250°C) : risque de déviation stœchiométrique
La densité de la cible influence directement la stabilité du plasma et la qualité du film.
Les cibles à haute densité (≥95% de densité théorique) fournissent :
Les cibles de plus faible densité peuvent introduire :
La performance des films minces de ZnS dépend fortement du contrôle du rapport Zn:S.
Q1 : Pourquoi le ZnS est-il principalement utilisé dans la pulvérisation RF ?
R1 : Parce que le ZnS est un matériau semi-conducteur composé qui nécessite un plasma RF pour un contrôle stable de la pulvérisation.
Q2 : Qu’est-ce qui affecte le plus la qualité optique des couches minces de ZnS ?
R2 : Le contrôle de la stœchiométrie et la contamination par l’oxygène sont les facteurs les plus critiques.
Q3 : Quelle est la température typique du substrat pour le dépôt de ZnS ?
R3 : Généralement inférieure à 200°C pour éviter la perte de soufre et la déviation de la composition.
Q4 : Pourquoi est-il important d’avoir une cible de ZnS de haute densité ?
R4 : Une densité plus élevée améliore la stabilité du plasma et réduit la formation de particules.
Chaque lot est fourni avec :
Un certificat d’analyse (COA)
Fiche technique (TDS)
Fiche de données de sécurité (FDS)
Rapports de tests effectués par des tiers disponibles sur demande
ULPMAT fournit des cibles de ZnS conçues pour le dépôt stable de couches minces :
Formule moléculaire : ZnS
Poids moléculaire : 97.45 g/mol
Aspect : Cible céramique dense de couleur blanche à jaune clair avec une surface lisse et uniforme.
Densité : 4,09 g/cm³ : 4,09 g/cm³
Point de fusion : 1 850 °C
Point d’ébullition : 2 200 °C (avant décomposition)
Structure cristalline : Deux formes cristallines : Blende de zinc cubique (F-43m) et Wurtzite hexagonale (P6₃mc).
Emballage intérieur : Sacs scellés sous vide et emballage pour éviter la contamination et l’humidité.
Emballage extérieur : Cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.
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