La cible de pulvérisation
en séléniure de cuivre, zinc et étain
est un matériau clé utilisé dans les processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD). Elle est synthétisée avec précision à partir d’éléments de cuivre, de zinc, d’étain et de sélénium de haute pureté dans des rapports stœchiométriques spécifiques, présentant d’excellentes propriétés semi-conductrices et de bonnes caractéristiques d’absorption de la lumière. Les cibles Cu2ZnSnSe4 sont idéales pour la fabrication de couches absorbantes pour cellules solaires à couche mince à faible coût, à haut rendement et respectueuses de l’environnement. Elles conviennent également à d’autres applications optoélectroniques et semi-conductrices.
Nous proposons une gamme variée de cibles de pulvérisation Cu2ZnSnSe4 de haute pureté et haute densité, avec des compositions chimiques et des tailles personnalisées. Contactez-nous.
Haute pureté
Contrôle stœchiométrique précis
Haute densité, faible porosité
Excellente uniformité du film
Bonnes performances de cristallisation
Matériau respectueux de l’environnement
Prise en charge de la production et du collage personnalisés
Cellules solaires
à couche mince : utilisées comme couches absorbantes pour fabriquer des dispositifs photovoltaïques à couche mince de nouvelle génération, non toxiques et abondants.
Photodétecteurs : utilisés pour fabriquer des éléments photodétecteurs sensibles à la région visible et proche infrarouge. Dispositifs
à semi-conducteurs
: en tant que couche active semi-conductrice, il est utilisé dans la technologie d’affichage et les circuits logiques. Exploration de matériaux potentiels pour de nouveaux dispositifs électroluminescents à faible coût.
Q1 : Quelle est la pureté typique des cibles Cu2ZnSnSe4 ?
R1 : La pureté de nos produits standard est généralement de 99,99 % (4N) ou plus afin de garantir la stabilité et la répétabilité des performances des couches minces.
Q2 : La taille et la composition des cibles peuvent-elles être personnalisées ?
R2 : Oui. Nous proposons la personnalisation de différents diamètres, épaisseurs et stœchiométries spécifiques (telles que riche en cuivre, riche en zinc, etc.) afin de répondre à vos exigences de processus spécifiques.
Q3 : Quel est le type de conductivité des films minces Cu2ZnSnSe4 ?
A3 : Le Cu2ZnSnSe4 présente généralement un comportement de semi-conducteur de type p, mais son type de conductivité et sa concentration en porteurs peuvent être optimisés en ajustant la stœchiométrie élémentaire et les processus ultérieurs.
Q4 : Quels sont les avantages du Cu2ZnSnSe4 par rapport à d’autres matériaux pour cellules solaires à couche mince (tels que le CIGS) ?
R4 : Le Cu2ZnSnSe4 ne contient aucun élément rare (In) ou toxique (Ga, Cd). Il bénéficie de réserves de matières premières abondantes, de coûts moins élevés et est plus respectueux de l’environnement, ce qui en fait un choix plus durable.
Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)
Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande
Nous sommes spécialisés dans la production et la fourniture de cibles de pulvérisation de matériaux fonctionnels de haute pureté, en contrôlant strictement la composition et la stabilité des lots. Nous fournissons des cibles de pulvérisation d’oxyde cuivreux fiables et traçables pour la recherche scientifique, l’industrie et la préparation de films minces pour appareils électroniques, garantissant une qualité élevée et une cohérence à long terme du dépôt de film.
Formule chimique : Cu₂ZnSnSe₄
Poids moléculaire : 529,31 g/mol
Aspect : Matériau cible dense noir à gris foncé
Structure cristalline : Type de pérovskite
Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes afin d’éviter toute contamination et humidité.
Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.
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