、物理的気相成長（PVD）プロセスで使用される主要材料です。高純度の銅、亜鉛、スズ、セレン元素を特定の化学量論比で精密合成されており、優れた半導体特性と良好な光吸収特性を示します。 Cu2ZnSnSe4 ターゲットは、低コスト、高効率、環境に優しい薄膜太陽電池吸収層の製造に理想的であり、他の光電子および半導体デバイスの用途にも適しています。
当社は、さまざまな高純度、高密度の Cu2ZnSnSe4 スパッタリングターゲットを提供しており、カスタマイズされた化学組成およびサイズに対応しています。お問い合わせください。
高純度
正確な化学量論的制御
高密度、低多孔性
優れた膜均一性
良好な結晶化性能
環境に優しい材料
カスタマイズ
生産およびボンディングに対応
薄膜太陽
電池：無毒で豊富な次世代薄膜太陽電池デバイスを製造するための吸収層として使用されます。
光検出器：可視光から近赤外領域に敏感な光検出器素子の製造に使用されます。
半導体
デバイス：半導体活性層として、ディスプレイ技術やロジック回路に使用されます。新規の低コスト発光デバイスの潜在的な材料を模索しています。
Q1：Cu2ZnSnSe4 ターゲットの一般的な純度は？
A1: 当社の標準製品の純度は、薄膜性能の安定性と再現性を確保するため、通常99.99%（4N）以上です。
Q2: ターゲットのサイズと組成はカスタマイズ可能ですか？
A2: はい。お客様の特定のプロセス要件を満たすため、様々な直径、厚さ、および特定の化学組成（銅豊富、亜鉛豊富など）のカスタマイズをサポートしています。
Q3: Cu₂ZnSnSe₄薄膜の導電型は？
A3: Cu₂ZnSnSe₄は通常p型半導体の特性を示しますが、元素の化学量論比や後続プロセスを調整することで導電型やキャリア濃度を最適化可能です。
Q4: Cu₂ZnSnSe₄は他の薄膜太陽電池材料（CIGSなど）と比べてどのような利点がありますか？
A4: Cu₂ZnSnSe₄は希少元素（In）や有害元素（Ga, Cd）を含みません。豊富な原料資源、低コスト、環境配慮性を誇り、より持続可能な選択肢です。
各ロットには以下を添付：
分析証明書（COA）
技術データシート（TDS）
化学物質安全データシート（MSDS）
第三者試験報告書（要請求）
当社は高純度機能性材料スパッタリングターゲットの製造・供給を専門とし、組成とロット安定性を厳密に管理しています。科学研究、産業、電子デバイス薄膜作製向けに信頼性が高くトレーサビリティのある酸化第一銅スパッタリングターゲットを提供し、高品質かつ長期にわたり安定した薄膜成膜を保証します。
化学式Cu₂ZnSnSe₄の
分子量：529.31g/mol
外観黒色～暗灰色の緻密なターゲット物質
結晶構造ペロブスカイト型
内包装：汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。
外包装：サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。
