| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 721400ST001 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 721400ST002 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 721400ST003 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
Siliciuro de hafnio son materiales de alto rendimiento desarrollados específicamente para procesos de deposición de película fina para dispositivos electrónicos de alta temperatura, puertas metálicas de semiconductores, capas tampón de electrodos y otras aplicaciones. Con una pureza del 99,8%, ofrecen una excelente densidad y estabilidad estructural, lo que permite la deposición uniforme de películas finas y una excelente adherencia, haciéndolos adecuados para la fabricación de películas finas funcionales en condiciones exigentes.
Ofrecemos cátodos de siliciuro de hafnio en una gran variedad de formas y tamaños, y podemos personalizarlos para satisfacer sus requisitos específicos. También ofrecemos un completo servicio de asistencia técnica y posventa. No dude en ponerse en contacto con nosotros con cualquier pregunta sobre su uso.
Pureza: 99,8
Material de alto punto de fusión, adecuado para procesos de deposición a alta temperatura
Excelente densidad y conductividad, mejorando la calidad de la película
Tamaños y formas personalizables, incluida la soldadura por retroceso
Adecuado para puertas metálicas, barreras de difusión y materiales de película fina resistentes a altas temperaturas
Dispositivos semiconductores semiconductores: Ampliamente utilizado en estructuras de puerta metálicas de alto K, capas de interconexión y materiales de electrodos de contacto.
Material de capa barrera: El HfSi₂ actúa como barrera de difusión estable, impidiendo eficazmente la migración de metales. Películas estructurales resistentes a altas temperaturas: Ofrecen una excelente estabilidad térmica e inercia química en entornos de altas temperaturas.
MEMS y sistemas microelectrónicos: Adecuado para la fabricación de microsensores, electrodos y capas protectoras.
Proporcionamos un Certificado de análisis (COA), Hoja de datos de seguridad del material (MSDS) e informes de parámetros físicos relevantes para cada lote de cátodos de HfSi₂. También respaldamos los servicios de pruebas de terceros para cumplir normas de control de calidad más estrictas.
Fórmula molecular: HfSi₂
Peso molecular: 234,65 g/mol
Aspecto: Blanco gris-negro con brillo metálico y superficie densa y lisa.
Densidad: Aproximadamente 8,0 g/cm³ (cercana a la densidad teórica)
Punto de fusión: Aproximadamente 1.830°C (punto de fusión alto, adecuado para procesos de película fina a alta temperatura)
Estructura cristalina: Ortorrómbica (estructura tipo C49)
Envasado interior: Bolsas selladas al vacío y en caja para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o de madera seleccionadas en función del tamaño y el peso.
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