ULPMAT

Óxido de bismuto y titanio

Chemical Name:
Óxido de bismuto y titanio
Formula:
Bi4Ti3O12
Product No.:
83220800
CAS No.:
12010-77-4
EINECS No.:
234-564-6
Form:
Blanco para sputtering
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
83220800ST001 Bi4Ti3O12 99.999% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
83220800ST002 Bi4Ti3O12 99.999% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
83220800ST003 Bi4Ti3O12 99.999% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
83220800ST001
Formula
Bi4Ti3O12
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
83220800ST002
Formula
Bi4Ti3O12
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
83220800ST003
Formula
Bi4Ti3O12
Purity
99.999%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm

Visión general de los cátodos para sputtering de óxido de bismuto y titanio

Los cátodos para sputtering son materiales de alto rendimiento desarrollados para aplicaciones de deposición de películas finas cerámicas funcionales. Conocido por su excelente estabilidad química y propiedades ferroeléctricas, este material es adecuado para la preparación de dispositivos avanzados como películas finas de alta constante dieléctrica, piezoeléctricas, optoelectrónicas y de memoria no volátil.

Suministramos cátodos para sputtering de óxido de titanio y bismuto de diversas formas y tamaños, como redondos, rectangulares, etc., y pueden personalizarse según los requisitos específicos del cliente. También ofrecemos una gama completa de postventa postventa y sugerencias de aplicación no dude en consultarnos.

Productos destacados

Pureza: 99,999
Estructura cerámica densa, adecuada para sputtering de alta estabilidad
Tamaño y forma personalizables
Adecuado para la preparación de películas finas de dispositivos ferroeléctricos, piezoeléctricos y optoelectrónicos

Aplicaciones del cátodo para sputtering de óxido de titanio y bismuto

Memoria ferroeléctrica (FeRAM): Bi4Ti3O12 es un material ferroeléctrico de fase Aurivillius típico, ampliamente utilizado en memorias no volátiles, con un excelente rendimiento de retención de polarización.
Dispositivos piezoeléctricos: puede utilizarse como capa de accionamiento piezoeléctrico en sistemas microelectromecánicos (MEMS), con un buen coeficiente de acoplamiento electromecánico.
Dispositivos optoelectrónicos de película fina: se utilizan para dispositivos ópticos integrados o capas de modulación multifuncionales, con efectos ópticos no lineales y electroópticos.
Películas altamente dieléctricas: adecuadas para condensadores, capas dieléctricas DRAM y películas de control de señales.

Informes

Proporcionamos certificados de análisis (COA) detallados, hojas de datos de seguridad de materiales (MSDS) e informes de ensayos de DRX, SEM o densidad relacionados con cada lote de productos. También invitamos a los clientes a designar agencias de pruebas externas para la verificación, con el fin de garantizar conjuntamente una entrega de alta calidad.

Fórmula molecular: Bi₄Ti₃O₁₂
Peso molecular: 1092,38 g/mol
Aspecto: Blanco cerámico blanquecino o amarillo claro, superficie lisa.
Densidad: alrededor de 8,1 g/cm³ (cercana a la densidad teórica)
Punto de fusión: alrededor de 1.000 °C
Estructura cristalina: estructura de perovskita en capas, sistema ortorrómbico

Envasado interior: Bolsas selladas al vacío y en caja para evitar la contaminación y la humedad.

Embalaje exterior: Cajas de cartón o de madera seleccionadas en función del tamaño y el peso.

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