El polvo
de nitruro de galio
es un material semiconductor de banda ancha de tercera generación y alta pureza con la fórmula química GaN. El producto suele presentarse en forma de polvo ultrafino de color negro grisáceo o amarillo pálido, con una banda ancha directa de aproximadamente 3,4 eV, una conductividad térmica excepcionalmente alta y una estabilidad química sobresaliente. Sirve como material fundamental para la fabricación de objetivos cerámicos de GaN de alto rendimiento, cuerpos sinterizados, materiales compuestos y permite un crecimiento epitaxial avanzado. Este material tiene amplias aplicaciones en los sectores de optoelectrónica, RF y dispositivos de potencia de última generación.
Ofrecemos una amplia gama de polvos de GaN de alta calidad con pureza ultraalta, tamaños de partículas seleccionables y fases cristalinas, junto con soluciones de envasado personalizadas profesionales. Póngase en contacto con nosotros
para solicitar muestras.
Pureza ultraalta
Propiedades semiconductoras de banda ancha
Tamaño y morfología de las partículas controlables
Excelente estabilidad térmica y química
Fácil dispersión y mezcla
Cerámicas avanzadas y blancos: sirve como material principal para la sinterización por prensado en caliente para producir blancos de pulverización cerámicos de GaN de alta densidad o componentes estructurales resistentes al desgaste.
Recubrimientos e ingeniería de superficies: se utiliza para preparar recubrimientos de pulverización térmica o pulverización en frío de alto rendimiento, mejorando la resistencia al desgaste y las propiedades protectoras de los componentes en entornos corrosivos y de alta temperatura.
Compuestos y aditivos: sirve como fase de refuerzo o relleno funcional para la fabricación de compuestos poliméricos de alta conductividad térmica o cerámicas especiales.
Investigación y desarrollo de dispositivos: funciona como polvo precursor para nuevas técnicas epitaxiales, síntesis de nanomateriales y estudios de vanguardia en fotocatálisis/electrocatalisis.
P1: ¿Cómo seleccionar el tamaño de partícula de polvo adecuado?
R1: Depende del proceso. Se requieren polvos más finos para la fabricación de cerámica densa; se pueden elegir distribuciones específicas del tamaño de las partículas para la pulverización térmica; se necesitan polvos ultrafinos a nanoescala para los precursores de crecimiento epitaxial.
P2: ¿Es seguro utilizar polvo de GaN?
R2: Es esencial manipularlo adecuadamente. Evite inhalar el polvo; utilice equipos de protección, como mascarillas, durante la manipulación y trabaje en un área bien ventilada.
P3: ¿Cómo se debe almacenar el polvo?
R3: Almacénelo en recipientes sellados, secos y protegidos de la luz. Manténgalo en una atmósfera inerte seca o en un entorno al vacío para evitar la absorción de humedad y la oxidación.
P4: ¿Cuáles son las principales diferencias entre el polvo de GaN y el polvo de silicio?
R4: Una diferencia significativa en el rendimiento. El GaN es un material de banda ancha que ofrece una resistencia superior a la alta tensión, tolerancia a altas temperaturas y características de frecuencia en comparación con el silicio. Sirve como material básico para los semiconductores de próxima generación.
Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición
Aprovechando nuestra experiencia en materiales de polvo semiconductores
de tercera generación y nuestro estricto control de calidad, ofrecemos polvo de nitruro de galio de alto rendimiento y gran consistencia, así como soluciones personalizadas.
Fórmula molecular: GaN
Peso molecular: 83,73 g/mol
Aspecto: Polvo entre amarillo pálido y gris
Densidad: 6,15 g/cm³
Punto de fusión: Aproximadamente 2.497 °C (antes de la descomposición)
Estructura cristalina: Hexagonal o cúbica
Embalaje interior: Bolsas selladas al vacío y envasadas en cajas para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o cajas de madera seleccionadas en función del tamaño y el peso.
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