Nitruro de galio

Descripción general de las obleas de nitruro de galio

Las obleas
de nitruro de galio
son discos de sustrato estandarizados fabricados mediante el corte, el esmerilado y el pulido de precisión de monocristales de nitruro de galio de alta pureza. Como material básico fundamental para los semiconductores de banda ancha de tercera generación, hereda perfectamente las características de alta frecuencia, alta eficiencia, alto voltaje y alta temperatura del GaN. Proporcionan una plantilla cristalina ideal para el crecimiento de películas epitaxiales de GaN de alta calidad y sirven como base física para la fabricación de todos los dispositivos optoelectrónicos y electrónicos de potencia de GaN de alta gama.

Ofrecemos sustratos monocristalinos de GaN y obleas epitaxiales en varios tamaños, orientaciones cristalinas, espesores y tipos de conductividad. Póngase en contacto con nosotros
para obtener soluciones personalizadas.

Características destacadas del producto

Sustrato semiconductor de banda ancha de tercera generación
Densidad de defectos de dislocación extremadamente baja
Alta conductividad térmica y excelente estabilidad química
Tecnología de obleas de gran tamaño
Múltiples orientaciones cristalinas y opciones de resistividad disponibles

Aplicaciones de las obleas de GaN

Optoelectrónica y pantallas: sirve como sustrato epitaxial para el crecimiento de la capa epitaxial central en LED azules/verdes/blancos, diodos láser (LD) y chips de pantalla Micro-LED.
Comunicaciones de RF y microondas: se utilizan para fabricar chips de RF de alta frecuencia y alta potencia y amplificadores de potencia para estaciones base de comunicaciones 5G/6G, comunicaciones por satélite y sistemas de radar.
Electrónica de potencia: como sustratos para la fabricación de dispositivos electrónicos de potencia de alta eficiencia y alta densidad de potencia utilizados en vehículos de nueva energía, centros de datos y aplicaciones de carga rápida.
Campos emergentes y fronterizos: para el desarrollo de detectores de UV, sensores de alta temperatura, dispositivos de comunicación cuántica y circuitos integrados de potencia de alta eficiencia de próxima generación.

Preguntas frecuentes

P1: ¿Qué distingue a las obleas de GaN de las obleas de SiC?
R1: Se diferencian en los sistemas de materiales y el enfoque de aplicación. Las obleas de GaN ofrecen una mayor movilidad de electrones, lo que las hace ideales para dispositivos optoelectrónicos y de RF de alta frecuencia; las obleas de SiC proporcionan una conductividad térmica superior, lo que las hace prioritarias para los dispositivos de potencia de ultra alta tensión.

P2: ¿Por qué son más comunes las obleas epitaxiales de GaN sobre Si?
R2: Las razones principales son las ventajas en cuanto a coste y tamaño. El crecimiento epitaxial de GaN sobre sustratos de silicio económicos permite la fabricación de dispositivos a mayor escala y menor coste, aunque la calidad del cristal es inferior a la de la homoepitaxia de GaN sobre GaN.

P3: ¿Por qué son tan caras las obleas de GaN?
R3: Principalmente debido a los extremos retos que plantea su fabricación. Los monocristales de GaN de alta calidad requieren un crecimiento a alta temperatura y presión, lo que presenta importantes barreras técnicas, un alto consumo de energía y bajos índices de rendimiento, lo que da lugar a costes muy superiores a los de los sustratos de silicio.

P4: ¿Cómo se deben almacenar y manipular las obleas?
R4: Deben almacenarse y manipularse en recipientes especiales para obleas en entornos ultralimpios. La manipulación requiere un cuidado extremo para evitar daños en los bordes y la contaminación de la superficie, ya que son frágiles y exigen unos estándares de limpieza excepcionalmente altos.

Informe

Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)

Ficha técnica (TDS)

Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición

¿Por qué elegirnos?

Aprovechando nuestra profunda experiencia técnica en materiales semiconductores de banda ancha, ofrecemos productos de sustrato de GaN de alta calidad y alto rendimiento, así como soluciones epitaxiales profesionales y fiables.