Las obleas
metálicas de germanio
son materiales de sustrato de película delgada fabricados a partir de cristales únicos de germanio de pureza ultraalta mediante corte, pulido y esmerilado de precisión. Con excelentes propiedades semiconductoras y características ópticas únicas, sirven como materiales fundamentales para la óptica infrarroja moderna, la energía fotovoltaica de alto rendimiento y los dispositivos semiconductores avanzados. Como sustrato clave para componentes ópticos infrarrojos de alta gama y células solares multijunción eficientes, también sirven como plataforma ideal para dispositivos integrados electrónicos y optoelectrónicos de alta velocidad de próxima generación.
Ofrecemos obleas de germanio en múltiples especificaciones, incluyendo obleas pulidas estándar, sustratos epitaxiales y obleas avanzadas de germanio sobre aislante (Ge-on-Si). Hay disponibles opciones de personalización para la orientación del cristal, el grosor y el tratamiento de la superficie. Póngase en contacto con
nuestro equipo de ventas para cualquier consulta.
Pureza ultraalta.
Obleas de gran diámetro.
Densidad de dislocación extremadamente baja (cristales únicos sin dislocaciones).
Calidad superior de la superficie.
Múltiples orientaciones de cristal y opciones de resistividad disponibles.
Proporciona tratamientos de superficie listos para la epitaxia
Óptica infrarroja: se utiliza en la fabricación de lentes, ventanas y filtros infrarrojos de alto rendimiento para sistemas de imagen térmica y dispositivos de visión nocturna.
Fotovoltaica y energía: sirve como sustrato para células solares multijunción de alta eficiencia en compuestos III-V (por ejemplo, GaAs), lo que permite la máxima eficiencia de conversión fotovoltaica.
Dispositivos semiconductores
avanzados: sirve como material de sustrato para transistores a nanoescala de alta velocidad y bajo consumo (por ejemplo, MOSFET de GeOI), lo que mejora el rendimiento de los chips. Funciona como material fotodetector y modulador en la integración optoelectrónica basada en silicio, lo que permite la conversión de datos ópticos
a eléctricos.
Epitaxia heterogénea y ciencia de los materiales: Actúa como plantilla ideal para el crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos III-V de alta calidad (por ejemplo, GaAs) utilizados en dispositivos optoelectrónicos.
P1: ¿Cuál es la principal diferencia entre las obleas de germanio y las obleas de silicio?
R1: La diferencia fundamental radica en el rendimiento. Las obleas de germanio ofrecen una alta movilidad de electrones y transparencia a la luz infrarroja, lo que las hace adecuadas para dispositivos infrarrojos y especiales de alta gama. Las obleas de silicio son rentables y cuentan con procesos maduros, por lo que siguen siendo la opción predominante para los circuitos integrados.
P2: ¿Qué nivel de pureza se requiere para la fabricación de semiconductores?
R2: Extremadamente alto. Para fabricar dispositivos como transistores, la pureza del germanio debe alcanzar normalmente 8N (99,999999 %) o más.
P3: ¿Qué distingue a las obleas de germanio estándar de las obleas GeOI?
R3: Las diferencias estructurales. GeOI significa «germanio sobre aislante» y combina la alta movilidad del germanio con las propiedades de aislamiento eléctrico superiores de las capas aislantes. Esto permite la fabricación de dispositivos con un rendimiento mejorado y un menor consumo de energía.
P4: ¿Qué precauciones se deben tomar para manipular y almacenar las obleas de germanio?
R4: Es esencial protegerlas de la humedad. Almacénelas en cajas específicas para obleas en un entorno de sala limpia. Debido a su naturaleza frágil, manipúlelas con extremo cuidado durante su extracción y colocación para evitar impactos en los bordes que podrían provocar su rotura.
Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición
Aprovechando nuestra profunda experiencia técnica en el crecimiento de cristales de germanio y el procesamiento de obleas, ofrecemos soluciones integrales de sustratos que abarcan desde aplicaciones a nivel de material hasta aplicaciones a nivel de sistema.
Fórmula molecular: Ge
Peso molecular: 72,61
Aspecto: Escamas de color gris plateado con brillo metálico
Densidad: 5,323 – 5,35 g/cm³
Punto de fusión: 937,4 °C
Punto de ebullición: 2830 °C
Estructura cristalina: Estructura cristalina cúbica tipo diamante
Embalaje interior: Bolsas selladas al vacío y en cajas para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o cajas de madera seleccionadas en función del tamaño y el peso.
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