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Fosfuro de indio

Chemical Name:
Fosfuro de indio
Formula:
InP
Product No.:
491500
CAS No.:
22398-80-7
EINECS No.:
244-959-5
Form:
Blanco para sputtering
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
491500ST001 InP 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
491500ST002 InP 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
491500ST003 InP 99.99% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
491500ST001
Formula
InP
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
491500ST002
Formula
InP
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
491500ST003
Formula
InP
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm

Visión general de los cátodos para sputtering de fosfuro de indio

El cátodopara sputteringdefosfuro de indio (InP) es un material semiconductor compuesto de gran pureza conocido por sus excelentes propiedades electrónicas y optoelectrónicas. Se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta velocidad, componentes fotónicos, diodos láser y deposición avanzada de películas finas. Con una movilidad de portadores superior, un ancho bandgap directo y una alta estabilidad térmica, los cátodos para sputtering de InP son ideales para producir películas semiconductoras de alto rendimiento en sistemas de comunicación y fotónicos.

Nuestros cátodos para sputtering InP se fabrican a partir de material de fosfuro de indio de gran pureza (99,99%), con una microestructura densa, un control preciso de la composición y una excelente uniformidad, lo que garantiza un rendimiento estable del sputtering tanto para I+D como para la producción a escala industrial.

Características principales de los cátodos para sputtering de fosfuro de indio (InP)

Alta pureza: 99,99% de pureza para películas finas con pocos defectos y de alta calidad.

Densidad uniforme: Prensado en caliente al vacío y tratamiento HIP para una estructura de grano fino y baja porosidad.

Excelentes propiedades eléctricas y ópticas: Semiconductor de banda prohibida directa adecuado para aplicaciones optoelectrónicas.

Rendimiento de sputtering estable: Espesor de película uniforme y composición consistente.

Tamaños personalizables: Disponible en diámetros, espesores y configuraciones estándar y personalizadas (planas o giratorias).

Aplicaciones del cátodo para sputtering de fosfuro de indio (InP)

Dispositivosoptoelectrónicos : Para diodos láser, fotodetectores y componentes de comunicación óptica.

Electrónica de alta frecuencia: Utilizado en HEMT, circuitos integrados y transistores de alta velocidad.

Deposición de películas finas: Adecuado para sistemas de recubrimiento por sputtering magnetrónico y evaporación.

Investigación ensemiconductores: Material básico para la investigación de semiconductores compuestos III-V y el desarrollo de nanoestructuras.

¿Por qué elegirnos?

Fabricante profesional: Especializados en cátodos para sputtering de alta pureza y materiales semiconductores.

Garantía de alta pureza: Producidos mediante refinados procesos de síntesis y fusión por zonas.

Opciones personalizables: Varias formas (disco, rectángulo, anillo) y servicios de unión disponibles.

Estricto control de calidad: Verificado mediante análisis ICP-MS y XRD para comprobar la pureza y la consistencia de las fases.

Suministro global: Embalaje seguro, logística mundial y asistencia técnica para clientes internacionales.

Documentación completa: COA, TDS y MSDS con cada lote.

Preguntas frecuentes

F1. ¿Cuál es la pureza estándar de su cátodo para sputtering InP?
A1. La pureza estándar es del 99,999% (5N). Se pueden solicitar grados superiores y especificaciones personalizadas.

F2. ¿Qué tamaños y formas hay disponibles?
A2. Ofrecemos cátodos planares (circulares o rectangulares) y rotatorios, personalizables en tamaño y grosor en función de su equipo.

F3. ¿Pueden proporcionar servicios de unión?
A3. Sí, ofrecemos servicios de adhesión de indio o elastómero a placas de soporte previa solicitud.

F4. ¿Qué métodos de deposición son compatibles con los cátodos InP?
A4. Adecuados para sputtering magnetrón DC/RF y sistemas de evaporación al vacío.

F5. ¿Cuáles son las recomendaciones de almacenamiento?
A5. Almacenar en una atmósfera seca e inerte o en un envase sellado al vacío para evitar la oxidación y la exposición a la humedad.

Informes

Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha técnica (TDS)
Ficha de datos de seguridad (FDS)
Los informes de pruebas de terceros están disponibles previa solicitud.

Fórmula química: InP
Peso molecular: 283,81 g/mol
Pureza: 99,99% (personalizable)
Aspecto: Polvo metálico o blanco de color gris a negro
Densidad: ~4,8 g/cm³
Punto de fusión: ~700°C
Punto de ebullición: ~2000°C
Estructura cristalina: Zinc blenda (estructura cristalina cúbica)
Método de pulverización catódica: Sputtering DC

Envasado interior: Bolsas selladas al vacío y en caja para evitar la contaminación y la humedad.

Embalaje exterior: Cajas de cartón o de madera seleccionadas en función del tamaño y el peso.

SKU 491500ST Categoría Marca:

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