El polvo
de fosfuro de galio
es un material semiconductor compuesto III-V de alta pureza con la fórmula química GaP. Este producto suele presentarse en forma de polvo cristalino fino de color amarillo a amarillo anaranjado, con un ancho de banda prohibida indirecta de aproximadamente 2,26 eV. Conocido por sus propiedades luminiscentes específicas en el espectro de luz visible, su alta movilidad electrónica y su excelente estabilidad química, sirve como material base crucial para la fabricación de materiales funcionales especiales, dispositivos optoelectrónicos tradicionales y la investigación en ciencia de materiales conductores.
Ofrecemos polvo de fosfuro de galio de alta calidad en múltiples grados de pureza, distribuciones de tamaño de partículas y tipos de dopaje. Póngase en contacto con nosotros.
Semiconductor compuesto de alta pureza
Propiedades de emisión de luz visible
Excelente estabilidad química y térmica
Tamaño y morfología de las partículas controlables
Sistema de materiales clásico y maduro
Dispositivos optoelectrónicos y pantallas: Se utiliza en la fabricación de diodos emisores de luz (LED) rojos, verdes y amarillos de primera generación o como sustrato para fósforos.
Aditivos para materiales especiales: Sirve como relleno funcional o modificador para preparar compuestos con propiedades ópticas o eléctricas específicas.
Dispositivos electrónicos de alta velocidad: actúa como material precursor para la fabricación de capas epitaxiales o capas funcionales en determinados componentes electrónicos de alta frecuencia.
P1: ¿Cuáles son las principales características del polvo de GaP?
R1: Sus características principales son una banda prohibida indirecta y la emisión de luz visible. Su aspecto amarillo y su ancho de banda prohibida específico lo distinguen de materiales como el GaAs, que se utiliza principalmente para la luz infrarroja.
P2: ¿Cómo se debe seleccionar el tamaño de las partículas del polvo?
R2: Depende del proceso final. Se requieren polvos más finos para preparar compuestos o lodos uniformes; ciertos procesos de sinterización o reacción en fase sólida exigen distribuciones específicas del tamaño de las partículas.
P3: ¿Qué precauciones se deben tomar durante su uso y almacenamiento?
R3: Almacénelo en recipientes sellados para evitar la absorción de humedad. Evite inhalar el polvo durante su manipulación y realice las operaciones en áreas bien ventiladas.
P4: ¿Sigue siendo el GaP la opción principal en los dispositivos optoelectrónicos?
R4: Ha sido sustituido por materiales como el InGaN en los LED visibles de ultra alto brillo. Sin embargo, sigue teniendo valor de aplicación en dispositivos de longitud de onda específica, integración optoelectrónica y ciertas investigaciones fundamentales.
Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición
Aprovechando nuestra experiencia en materiales compuestos III-V, proporcionamos polvo de GaP de alta calidad con un rendimiento estable y especificaciones completas, respaldado por un soporte técnico fiable.
Fórmula molecular: GaP
Peso molecular: 145,21 g/mol
Aspecto: Polvo gris a gris oscuro
Densidad: 4,138 g/cm³
Punto de fusión: Aproximadamente 1.470 °C
Estructura cristalina: Cúbica
Embalaje interior: Bolsas selladas al vacío y envasadas en cajas para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o cajas de madera seleccionadas en función del tamaño y el peso.
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