Los blancos de pulverización
de fosfuro de galio
son blancos cerámicos funcionales fabricados a partir de material de fosfuro de galio de alta pureza mediante procesos avanzados de metalurgia de polvos o fundición. Como semiconductor compuesto III-V clásico, el fosfuro de galio posee una banda prohibida indirecta de aproximadamente 2,26 eV. Diseñado específicamente para procesos de deposición física en fase vapor (PVD), este material objetivo permite la deposición de películas de GaP de alta calidad. Sirve como material básico para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos de longitud de onda específica, componentes electrónicos de alta velocidad y recubrimientos funcionales especializados.
Ofrecemos objetivos de pulverización cerámicos de GaP de alta calidad en múltiples purezas y dimensiones, y con servicios de unión opcionales. Póngase en contacto con nosotros.
Alta pureza y estequiometría precisa.
Material semiconductor clásico III-V.
Excelente uniformidad de deposición de la película.
Alta densidad y baja porosidad.
Servicios de unión profesionales disponibles
Dispositivos optoelectrónicos especializados: se utilizan para la deposición de películas delgadas para fabricar diodos emisores de luz (LED) rojos y amarillo-verdes o fotodetectores de longitud de onda específica.
Dispositivos electrónicos de alta velocidad: Sirve como material de película delgada para capas funcionales o amortiguadoras en ciertos componentes electrónicos de alta frecuencia.
Recubrimientos ópticos y protectores: Aprovecha su estabilidad fisicoquímica para depositar recubrimientos funcionales resistentes al desgaste y a la corrosión o películas ópticas.
Investigación de materiales de vanguardia: sirve como fuente de deposición de películas delgadas de GaP para la investigación fundamental y aplicada sobre heterounión novedosas, materiales de baja dimensión y física de dispositivos.
P1: ¿Cuáles son las principales aplicaciones de los materiales objetivo de GaP?
R1: Se utilizan principalmente para depositar películas delgadas de GaP para fabricar emisores de luz visible en longitudes de onda específicas y determinados dispositivos electrónicos de alta velocidad.
P2: ¿Qué requisitos de pureza se aplican a los materiales objetivo?
R2: Para garantizar el rendimiento de la película, normalmente se requiere una pureza del 99,99 % (4N) o superior, dependiendo de las especificaciones de rendimiento del dispositivo.
P3: ¿Qué se debe tener en cuenta al seleccionar los materiales objetivo de GaP?
R3: Céntrese en la precisión de las relaciones estequiométricas, la densidad del material objetivo y si se proporcionan servicios de unión compatibles con su equipo.
P4: ¿Cómo se deben mantener y almacenar los objetivos?
R4: Almacénelos sellados en un entorno seco y limpio. Manipúlelos con cuidado para evitar impactos. Mantenga limpia la superficie del blanco después de su uso.
Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición
Aprovechando nuestra experiencia en blancos de semiconductores compuestos, proporcionamos blancos de GaP estables, fiables y de alta calidad, así como soluciones personalizadas.
Fórmula molecular: GaP
Peso molecular: 145,21 g/mol
Aspecto: Blanco cerámico gris a gris oscuro
Densidad: 4,138 g/cm³
Punto de fusión: Aproximadamente 1.470 °C
Estructura cristalina: Cúbica
Embalaje interior: Bolsas selladas al vacío y envasadas en cajas para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o cajones de madera seleccionados en función del tamaño y el peso.
Si necesitas algún servicio, ponte en contacto con nosotros