La oblea
de dióxido de silicio
es una lámina de óxido de silicio de alta pureza con excelente estabilidad térmica, inercia química y planitud superficial. Se utiliza ampliamente en la fabricación de semiconductores, dispositivos microelectrónicos y deposición de películas delgadas ópticas
.
Ofrecemos obleas de SiO2 en diversas especificaciones y proporcionamos asistencia técnica para la integración en cuanto a tamaño, grosor y adecuación de procesos. ¡Póngase en contacto con nosotros
ahora mismo!
Alta estabilidad térmica e inercia química.
Superficie lisa con alta planitud.
Tamaño y grosor personalizables.
Adecuadas para procesos de semiconductores y películas ópticas delgadas.
Fuerte compatibilidad con los procesos.
Fabricación de dispositivos semiconductores:
las obleas de SiO₂ se pueden utilizar como sustratos o materiales aislantes para dispositivos electrónicos, mejorando el rendimiento y la fiabilidad de los mismos.
Deposición de películas finas microelectrónicas:
se utilizan para la preparación de películas finas microelectrónicas, lo que garantiza la adhesión de la película y la uniformidad del espesor.
Aplicaciones de películas finas ópticas:
adecuadas para la preparación de películas funcionales ópticas, películas antirreflectantes y películas conductoras transparentes.
Investigación y validación de procesos:
Apoya la investigación sobre nuevos materiales y procesos de película delgada, validando los parámetros de deposición y los efectos del proceso.
P1: ¿En qué procesos se pueden utilizar las obleas de SiO₂?
R1: Se utilizan principalmente en la fabricación de dispositivos semiconductores, la deposición de películas delgadas microelectrónicas y la fabricación de películas delgadas ópticas.
P2: ¿Son estables las obleas de óxido de silicio en procesos a alta temperatura?
R2: Las obleas de SiO₂ tienen una alta estabilidad térmica y pueden mantener su estructura y rendimiento en procesos a alta temperatura.
P3: ¿La planitud de la superficie de la oblea afecta a la aplicación?
R3: Una alta planitud garantiza una deposición uniforme de la película delgada y un rendimiento constante del dispositivo.
P4: ¿Se pueden utilizar las obleas de SiO₂ directamente para la deposición de películas delgadas?
R4: Sí, son adecuadas para sustratos utilizados en la deposición de películas delgadas semiconductoras y ópticas funcionales.
Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informe de inspección de tamaño
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición
Contamos con una amplia experiencia en el campo del suministro de obleas de óxido de silicio y podemos proporcionar obleas de SiO₂ altamente estables y trazables para ayudar a los clientes a lograr consistencia y fiabilidad en la deposición de películas delgadas y la fabricación de dispositivos durante las etapas de I+D y aplicación.
Fórmula molecular: SiO2
Peso molecular: 60,08 g/mol
Aspecto: Oblea blanca
Densidad: 2,65 g/cm³
Punto de fusión: 1710 °C
Punto de ebullición: 2230 °C
Estructura cristalina: Tetragonal/Hexagonal (cuarzo)
Embalaje interior: Bolsas selladas al vacío y envasadas en cajas para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o cajas de madera seleccionadas en función del tamaño y el peso.
Si necesitas algún servicio, ponte en contacto con nosotros