| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 301600ST001 | ZnS | 99.99% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST002 | ZnS | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST003 | ZnS | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 301600ST004 | ZnS | 99.99% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 301600ST005 | ZnS | 99.99% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST006 | ZnS | 99.99% | Ø 152.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 301600ST007 | ZnS | 99.99% | Ø 152.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
Sulfuro de zinc es un material cerámico compuesto de zinc y azufre en una proporción estequiométrica cercana a 1:1. Se utiliza ampliamente en procesos de deposición física en fase vapor (PVD) para producir películas finas ópticas e infrarrojas. El ZnS está clasificado como un semiconductor compuesto II-VI con un amplio bandgap de aproximadamente: 3,5 – 3,7 eV。Este amplio bandgap permite su uso en recubrimientos ópticos que requieren una alta transparencia desde las longitudes de onda visibles a las infrarrojas.
ULPMAT suministra cátodos para sputtering de ZnS de alta densidad con microestructura controlada, bajos niveles de impurezas y comportamiento de deposición estable para aplicaciones de PVD tanto en investigación como a escala industrial.Póngase en contacto con nosotros.
El ZnS presenta características tanto de semiconductor como de cerámica óptica dependiendo de las condiciones de deposición.
Los cátodos de ZnS se utilizan normalmente en sistemas de sputtering magnetrónico RF debido a su naturaleza compuesta.
Ventana típica del proceso de sputtering :
Densidad de potencia RF: 1 – 5 W/cm²
Presión de trabajo: 2 – 10 mTorr (atmósfera de Ar)
Temperatura del sustrato: < 200°C recomendada
Gas de deposición: Argón (Ar), a veces con O₂ controlado < 1-3%
Consideraciones sobre el comportamiento del proceso:
Baja presión (<2 mTorr): mayor densidad de película pero mayor riesgo de tensión
Alta potencia (>5 W/cm²): mayor riesgo de reevaporación de azufre
Temperatura elevada (>250°C): puede producirse una desviación estequiométrica
La densidad del blanco influye directamente en la estabilidad del plasma y en la calidad de la película.
Los cátodos de alta densidad (≥95% de densidad teórica) proporcionan:
Los blancos de menor densidad pueden introducir:
El rendimiento de las películas delgadas de ZnS depende en gran medida del control de la relación Zn:S.
La contaminación por oxígeno por encima de ~100 ppm puede aumentar de forma apreciable las pérdidas ópticas, mientras que los niveles en torno a ~500 ppm pueden provocar una degradación significativa de la transparencia de la película.
Los cátodos de ZnS de ULPMAT se fabrican en condiciones controladas de procesamiento cerámico:
Recubrimientos ópticos: Los revestimientos antirreflectantes (AR), los sistemas de filtros ópticos multicapa y los revestimientos de ventanas de alta transmisión son aplicaciones clave de los cátodos para sputtering de sulfuro de zinc para la deposición de películas finas ópticas.
Aplicaciones infrarrojas: Ventanas de sensores IR (sistemas de rango 3-12 µm), componentes ópticos de imagen térmica y ensamblajes ópticos aeroespaciales utilizan cátodos para sputtering de ZnS para el rendimiento de recubrimientos ópticos infrarrojos.
Investigación y materiales semiconductores: Los estudios de semiconductores compuestos II-VI, el desarrollo de películas finas de calcogenuros y la investigación de dispositivos fotónicos se basan en cátodos para sputtering de ZnS en aplicaciones avanzadas de ingeniería de materiales.
| Material | Bandgap | Transmisión IR | Estabilidad | Aplicación |
| ZnS | 3.5-3,7 eV | Alta (hasta ~12 µm) | Media | Recubrimientos ópticos/IR |
| ZnSe | ~2,7 eV | Gama IR más alta | Medio | Óptica IR |
| CdS | ~2,4 eV | IR limitado | Inferior | Fotoconductores |
| Parámetro | Valor |
| Material | Sulfuro de zinc (ZnS) |
| Pureza | 99.99% |
| Densidad | ≥95% teórica |
| Forma | Disco / Rotativa / Personalizada |
| Modo de pulverización catódica | RF / Magnetrón |
| Aplicación | Películas finas ópticas e IR |
P1: ¿Por qué se utiliza principalmente el ZnS en el sputtering de RF?
R1:Porque el ZnS es un material semiconductor compuesto que requiere plasma de RF para un control estable del sputtering.
P2: ¿Qué es lo que más afecta a la calidad óptica de la capa fina de ZnS?
A2:El control de la estequiometría y la contaminación por oxígeno son los factores más críticos.
P3: ¿Cuál es la temperatura típica del sustrato para la deposición de ZnS?
A3:Normalmente por debajo de 200°C para evitar la pérdida de azufre y la desviación de la composición.
P4: ¿Por qué es importante un blanco de ZnS de alta densidad?
A4: Una mayor densidad mejora la estabilidad del plasma y reduce la formación de partículas.
Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha técnica (TDS)
Ficha de datos de seguridad (FDS)
Informes de pruebas de terceros disponibles previa solicitud
ULPMAT ofrece cátodos de ZnS diseñados para la deposición estable de películas finas:
Fórmula molecular: ZnS
Peso molecular: 97,45 g/mol
Aspecto: Blanco a blanco cerámico denso de color amarillo claro con una superficie lisa y uniforme
Densidad: 4,09 g/cm³
Punto de fusión: 1.850 °C
Punto de ebullición: 2.200 °C (antes de la descomposición)
Estructura cristalina: Dos formas cristalinas: Blenda cúbica de Zinc (F-43m) y Wurtzita hexagonal (P6₃mc)
Envasado interior: Bolsas selladas al vacío y en caja para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o de madera seleccionadas en función del tamaño y el peso.
Si necesitas algún servicio, ponte en contacto con nosotros