Las obleas
de carburo de silicio
son materiales de sustrato semiconductor de banda ancha diseñados para dispositivos electrónicos de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura, que presentan una excelente conductividad térmica y estabilidad eléctrica. Se utilizan ampliamente en dispositivos de potencia, dispositivos de RF y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
Podemos proporcionar obleas de carburo de silicio para procesos de fabricación de dispositivos adaptadores y ofrecer asistencia técnica
para la integración en cuanto a orientación cristalina, estados superficiales y parámetros de aplicación. ¡Póngase en contacto con nosotros
ahora mismo!
Material semiconductor de banda ancha
Alta conductividad térmica
Alto campo eléctrico de ruptura
Adecuado para aplicaciones de alta temperatura y alta potencia
Buena compatibilidad con los procesos de los dispositivos
Dispositivos semiconductores de potencia:
Las obleas de carburo de silicio se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos de potencia, como MOSFET y diodos Schottky, mejorando la eficiencia y la fiabilidad.
Electrónica de RF y alta frecuencia: e
n dispositivos de comunicación de alta frecuencia y RF, los sustratos de carburo de silicio ayudan a reducir el consumo de energía y a mejorar la estabilidad de los dispositivos.
Vehículos de nueva energía y electrónica de potencia:
se utilizan en módulos de potencia de grado automotriz y sistemas de conversión de potencia, y son compatibles con entornos operativos de alta temperatura y alto voltaje.
Electrónica industrial y aeroespacial de alta fiabilidad:
sistemas electrónicos y componentes críticos adecuados para funcionar en entornos hostiles.
P1: ¿Por qué la oblea de carburo de silicio es adecuada para aplicaciones de alta potencia?
R1: Su alto campo eléctrico de ruptura y su excelente conductividad térmica permiten un funcionamiento estable de los dispositivos en condiciones de alta potencia.
P2: ¿Cómo se comporta la oblea de SiC en entornos de alta temperatura?
R2: Mantiene una buena estabilidad eléctrica y estructural en condiciones de alta temperatura.
P3: ¿Qué materiales tradicionales sustituye principalmente la oblea de carburo de silicio?
R3: En aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia, se utiliza a menudo para sustituir los sustratos tradicionales basados en silicio.
P4: ¿Es importante el estado de la superficie de la oblea para los procesos de fabricación de dispositivos?
R4: Unas condiciones superficiales estables y controlables ayudan a mejorar la consistencia de los procesos posteriores de epitaxia y fabricación de dispositivos.
Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)
Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informe de inspección de tamaño
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición
Entendemos los requisitos de consistencia y controlabilidad de los materiales en los procesos de fabricación de dispositivos de carburo de silicio. Podemos proporcionar obleas de carburo de silicio estables y trazables para ayudar a los clientes a lograr un rendimiento fiable de los dispositivos durante las fases de I+D y aplicación.
Fórmula molecular: SiC
Peso molecular: 52,11 g/mol
Aspecto: Oblea negra
Densidad: 3,21-3,22 g/cm³
Punto de fusión: 2730 °C (se descompone)
Estructura cristalina: Hexagonal (α-SiC); Cúbica (β-SiC)
Embalaje interior: Bolsas selladas al vacío y en cajas para evitar la contaminación y la humedad.
Embalaje exterior: Cajas de cartón o cajones de madera seleccionados en función del tamaño y el peso.
Si necesitas algún servicio, ponte en contacto con nosotros
