Óxido de galio

Descripción general de los gránulos de óxido de galio

El óxido de galio es un material semiconductor emergente de banda prohibida ultraancha con la fórmula química Ga₂O₃, que suele presentarse en forma de polvo cristalino blanco. Con una banda prohibida ultraancha de aproximadamente 4,8-4,9 eV, una intensidad de campo de ruptura teórica excepcionalmente alta y una figura de Baliga sobresaliente, demuestra un enorme potencial en la electrónica de potencia de ultraalta tensión de próxima generación y en los dispositivos optoelectrónicos de ultravioleta profundo. Se le considera uno de los materiales representativos de los «semiconductores de cuarta generación».

Ofrecemos gránulos y polvos de β-Ga2O3 de alta pureza, con posibilidad de personalización en cuanto a niveles de pureza, tamaños de partículas y fases cristalinas (principalmente fase β). Póngase en contacto con nosotros para solicitar muestras.

Características destacadas del producto

Semiconductor de banda prohibida ultraancha (~4,9 eV)
Resistencia eléctrica de ruptura excepcionalmente alta (~8 MV/cm)
Excelente figura de Baliga
Polimorfos seleccionables (predominantemente fase β, fase estable)
Alta pureza y tamaño de partícula controlable

Aplicaciones de los gránulos de óxido de galio

Electrónica de potencia de ultra alta tensión: se utiliza en la fabricación de diodos de barrera Schottky, transistores de efecto de campo, etc., para aplicaciones de ultra alta tensión en vehículos de nueva energía y redes inteligentes.
Fotodetección ultravioleta profunda: se utiliza en la fabricación de fotodetectores UV profundos para la banda solar ciega, aplicados en la alerta temprana de misiles, la detección de llamas y las comunicaciones ultravioletas.
Materiales de sustrato y epitaxiales: Sirve como sustrato monocristalino o material de película delgada para el crecimiento epitaxial homogéneo o heterogéneo de GaO de alta calidad.
Sensores de gas: Aprovecha la actividad superficial para fabricar sensores de gas de alta sensibilidad para detectar oxígeno, gases combustibles y más.

Preguntas frecuentes

P1: ¿Qué ventajas ofrece el óxido de galio en comparación con el carburo de silicio y el nitruro de galio?
R1: Menor coste potencial y mayor rendimiento teórico máximo. Es prometedor para lograr menores pérdidas de conducción y mayor tensión de ruptura en aplicaciones de ultra alta tensión (>1,2 kV). Además, se pueden cultivar monocristales de gran tamaño a partir de la fusión, lo que podría reducir los costes.

P2: ¿Qué es la «fase β» del óxido de galio?
R2: La fase de estructura cristalina más estable. El β-Ga₂O₃ es la forma cristalina más estable termodinámicamente y la fase principal que se utiliza actualmente en la investigación y las aplicaciones de dispositivos de potencia, ya que presenta excelentes propiedades eléctricas.

P3: ¿Es seguro utilizar gránulos de óxido de galio?
R3: Manipúlese de acuerdo con los protocolos de seguridad química. Al tratarse de un polvo de óxido inorgánico, evite la inhalación y el contacto con los ojos. Utilice equipo de protección durante su manipulación. Consulte la ficha de datos de seguridad (MSDS) para obtener información específica sobre seguridad.

P4: ¿Por qué el óxido de galio es relativamente caro en la actualidad?
R4: Se encuentra en las primeras etapas de industrialización. Actualmente, la preparación de materiales de alta pureza, el crecimiento de cristales únicos y los procesos de fabricación de dispositivos aún no han alcanzado la producción a gran escala. La cadena de suministro está en sus inicios, lo que conlleva unos costes más elevados. Sin embargo, a medida que avanza la tecnología, se espera que los costes disminuyan.

Informe

Cada lote se suministra con:
Certificado de análisis (COA)

Ficha técnica (TDS)

Ficha de datos de seguridad (MSDS)
Informes de pruebas de terceros disponibles bajo petición

¿Por qué elegirnos?

Nos especializamos en materiales semiconductores de última generación, proporcionando materias primas de óxido de galio de alta calidad y conocimientos técnicos profesionales para ayudarle a aprovechar las oportunidades que ofrece el desarrollo de los semiconductores de cuarta generación.