Silizium Rotationstargets sind zylindrische Sputtermaterialien, die für Magnetron-Sputteranlagen und die Abscheidung großflächiger Dünnschichten entwickelt wurden. Im Vergleich zu herkömmlichen planaren Silizium-Targets bieten Rotations-Targets eine höhere Materialausnutzung, einen stabileren Dauerbetrieb und eignen sich für industrielle Beschichtungsanwendungen, darunter optische Beschichtungen, Photovoltaik-Technologien, Halbleiterforschung und fortschrittliche Dünnschichtanwendungen.
Wir können Silizium-Rotations-Targets mit unterschiedlichen Strukturen und Größen entsprechend den Anlagenanforderungen liefern und unterstützen dabei die Prozesskommunikation sowie die technische Integration. Bitte kontaktieren Sie uns direkt, um Lösungen zu erhalten.
Silizium (Si)-Rotationstargets sind hochreine, zylindrische Sputtertargets, die in Magnetron-Sputteranlagen für physikalische Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD) eingesetzt werden. Silizium ist aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Eigenschaften, optischen Merkmale und chemischen Stabilität ein weit verbreiteter Halbleiter und Funktionswerkstoff. Bei Sputteranwendungen werden Silizium-Targets üblicherweise zur Abscheidung von Dünnschichten auf Siliziumbasis für elektronische Bauelemente, optische Beschichtungen, Solarenergietechnologien und Forschungsanwendungen eingesetzt.
Im Vergleich zu herkömmlichen planaren Silizium-Target bieten Rotations-Target eine verbesserte Targetausnutzung und längere Betriebszyklen, wodurch sie sich für Beschichtungsprozesse mit hohem Durchsatz eignen. ULPMAT liefert hochreine Silizium-Rotations-Target mit kundenspezifischen Spezifikationen, einschließlich Reinheitsgrad, Abmessungen, Anforderungsanforderungen an die Anbindung und Verpackungsoptionen.
| Parameter | Spezifikation |
| Material | Silizium (Si) |
| Chemische Formel | Si |
| CAS-Nummer | 7440-21-3 |
| Reinheit | 99,999 % / 99,95 % (Die Reinheit wird durch das Verfahren bestimmt.) |
| Zieltyp | Rotations |
| Form | Zylindrisch |
| Verfahren | Magnetron-Sputtern |
| Verbindung | Auf Anfrage erhältlich |
| Sonderabmessungen | Verfügbar |
Hohe Materialausnutzung: Rotierende Targets bieten im Vergleich zu planaren Targets in der Regel eine höhere Ausnutzungseffizienz, da die Erosion kontinuierlich entlang der zylindrischen Oberfläche erfolgt. Dies trägt dazu bei, die Häufigkeit des Targetwechsels zu reduzieren und die Produktionseffizienz bei lang andauernden Sputterprozessen zu verbessern.
Stabile Dünnschichtabscheidung: Die zylindrische Geometrie von Rotationstargets ermöglicht eine stabile Plasmaverteilung und ein gleichmäßiges Erosionsverhalten, was dazu beiträgt, eine gleichbleibende Dünnschichtqualität während kontinuierlicher Beschichtungsvorgänge aufrechtzuerhalten.
Geeignet für großflächige Beschichtungen: Silizium-Rotationstargets eignen sich besonders für großflächige Beschichtungssysteme, bei denen eine gleichmäßige Abscheidung und ein längerer Betrieb erforderlich sind.
Großflächige Dünnschichtabscheidung: Geeignet für Dünnschichtabscheidungsprozesse auf großflächigen Substraten, wodurch die Schichtgleichmäßigkeit und die Prozessstabilität verbessert werden.
Beschichtungsprozesse für Displays und Photovoltaik: Bei der Herstellung von Displaypanels und Dünnschicht-Photovoltaikmodulen kann die rotierende Targetstruktur die Anforderungen der kontinuierlichen Produktion hinsichtlich der Abscheidungskonsistenz erfüllen.
Herstellung funktionaler Beschichtungen: Geeignet für die Herstellung elektrischer, optischeoder schützende funktionale Dünnschichten geeignet und erfüllt die Leistungsanforderungen verschiedener Anwendungsszenarien.
F&E und Prozessvalidierung: Weit verbreitet zur Optimierung neuer Prozessparameter und zur Untersuchung des Materialverhaltens; ermöglicht stabile Tests unter Spinning-Sputter-Bedingungen.
| Merkmal | Rotierendes Silizium-Target | Planares Silizium-Target |
| Targetausnutzung | Höher | Niedriger |
| Dauerbetrieb | Hervorragend | Eingeschränkt |
| Großflächenbeschichtung | Geeignet | Geeignet |
| Ersatzintervall | Niedriger | Höher |
| Abscheidung im industriellen Maßstab | Bevorzugt | Eingeschränkt |
ULPMAT bietet Silizium-Rotationstargets mit kundenspezifischen Spezifikationen gemäß den Anforderungen des Kunden an.
Zu den verfügbaren Optionen gehören:
Zur Unterstützung der Materialbewertung und des sicheren Umgangs stehen technische Unterlagen zur Verfügung.
Verfügbare Dokumente:
✓ Technisches Datenblatt (TDS) für Silizium-Rotationstarget
✓ Sicherheitsdatenblatt (SDS) für Silizium-Rotationstarget
ULPMAT liefert hochreine Sputtertargets und fortschrittliche anorganische Materialien für Forschungseinrichtungen, Universitäten und industrielle Anwendungen.
Für Silizium-Rotationstargets bietet ULPMAT:
F1: Was ist ein Silizium-Rotationstarget?
A1: Ein Silizium-Rotationstarget ist ein zylindrisches Sputtertarget aus hochreinem Silizium (Si), das für Rotations-Magnetron-Sputteranlagen entwickelt wurde. Es wird als Ausgangsmaterial in physikalischen Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD) verwendet, um Dünnschichten auf Siliziumbasis für Anwendungen in den Bereichen Halbleiter, optische Beschichtungen, Photovoltaik und funktionale Beschichtungen herzustellen.
F2: Wofür wird ein Silizium-Rotationstarget verwendet?
A2: Silizium-Rotationstargets werden für Dünnschichtabscheidungsanwendungen eingesetzt, bei denen hochreine Siliziumschichten und eine stabile Sputterleistung erforderlich sind. Zu den typischen Anwendungen zählen optische Beschichtungen, Halbleiterforschung, Photovoltaik-Technologien, elektronische Materialien und großflächige Beschichtungssysteme. Die Rotationstarget-Struktur bietet Vorteile für den kontinuierlichen Sputterbetrieb mit verbesserter Materialausnutzung.
F3: Welche Reinheitsgrade sind für Silizium-Rotationstargets erhältlich?
A3: Silizium-Rotationstargets sind üblicherweise in hochreinen Qualitäten wie 99,99 % und 99,999 % erhältlich. Der erforderliche Reinheitsgrad hängt von den Anwendungsanforderungen, den Standards zur Kontaminationskontrolle und den Leistungsanforderungen an die Dünnschicht ab. Für anspruchsvolle Halbleiter- und optische Beschichtungsanwendungen werden in der Regel Silizium-Rotationstargets mit höherer Reinheit gewählt.
F4: Was ist der Unterschied zwischen einem Silizium-Rotationstarget und einem planaren Silizium-Target?
A4: Der Hauptunterschied zwischen Silizium-Rotationstargets und planaren Silizium-Targets liegt in ihrer Geometrie und der Effizienz der Sputterausnutzung. Rotierende Silizium-Targets bieten im Vergleich zu herkömmlichen planaren Targets eine gleichmäßigere Abtragung, eine höhere Materialausnutzung und eine längere Betriebsdauer. Sie eignen sich besonders für großflächige Beschichtungsanlagen und kontinuierliche industrielle Sputterprozesse.
F5: Warum werden rotierende Silizium-Targets für großflächige Sputteranlagen bevorzugt?
A5: Silizium-Target werden für großflächige Sputteranlagen bevorzugt, da ihre zylindrische Bauweise eine kontinuierliche Rotation während der Abscheidung ermöglicht, was zur Aufrechterhaltung stabiler Plasmabedingungen und einer gleichmäßigen Targetabtragung beiträgt. Diese Bauweise kann die Häufigkeit des Targetwechsels reduzieren und die Beschichtungseffizienz in Produktionsumgebungen mit hohen Stückzahlen verbessern.
F6: Welche Spezifikationen können bei rotierenden Silizium-Target individuell angepasst werden?
A6: ULPMAT liefert maßgeschneiderte Silizium-Target entsprechend den Kundenanforderungen, einschließlich Reinheitsgrad, Targetabmessungen, Rohrdurchmesser, Länge, Anforderungen an die Anbindung und Verpackungsspezifikationen. Maßgeschneiderte Lösungen sind für verschiedene Sputteranlagen und Anwendungen zur Dünnschichtabscheidung verfügbar.
F7: Stellt ULPMAT TDS- und SDS-Dokumente für Silizium-Targets zur Verfügung?
A7: Ja. ULPMAT stellt technische Dokumentationen für Silizium-Rotationstargets bereit, darunter das Technische Datenblatt (TDS) und das Sicherheitsdatenblatt (SDS). Diese Dokumente enthalten Informationen zu Materialspezifikationen, Handhabungsanforderungen und Sicherheitshinweisen für die Materialbewertung und Anwendungsentwicklung.
F8: Wie kann ich das richtige Silizium-Rotationstarget für meine Anwendung auswählen?
A8: Die Auswahl eines Silizium-Targets hängt von mehreren Faktoren ab, darunter der erforderlichen Reinheit, den Targetabmessungen, der Kompatibilität mit der Sputteranlage, den Schichteigenschaften und den Anwendungsanforderungen. Kunden können ihre Abscheidungsbedingungen und technischen Anforderungen angeben, um geeignete Target-Empfehlungen zu erhalten.
Spezifikationen für Silizium-Sputtertargets
7 Gründe, warum Silizium-Rotationstargets bei der modernen Dünnschichtabscheidung zum Einsatz kommen
Molekülformel: Si
Molekulargewicht: 28,09 g/mol
Aussehen: Silbergraues, dichtes, rotierendes Zielrohr
Dichte: 2,33 g/cm³
Schmelzpunkt: 1414 °C
Siedepunkt: 3265 °C
Kristallstruktur: kubisch-diamantisches System
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartonverpackung zum Schutz vor Verunreinigungen und Feuchtigkeit.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, die je nach Größe und Gewicht ausgewählt werden.
Wenn Sie einen Service benötigen, kontaktieren Sie uns bitte
