인화인듐 (InP) 스퍼터링타겟은 우수한 전자 및 광전자 특성으로 잘 알려진 고순도 화합물 반도체 소재입니다. 고속 전자 장치, 광자 부품, 레이저 다이오드 및 고급 박막 증착에 널리 사용됩니다. 우수한 캐리어 이동성, 넓은 직접 밴드갭, 높은 열 안정성을 갖춘 InP 스퍼터링 타겟은 통신 및 포토닉 시스템에서 고성능 반도체 필름을 생산하는 데 이상적입니다.
당사의 InP 스퍼터링 타겟은 고순도 99.99% 인화인듐 소재로 제작되어 조밀한 미세 구조, 정밀한 조성 제어, 우수한 균일성을 특징으로 하며 R&D 및 산업 규모 생산 모두에서 안정적인 스퍼터링 성능을 보장합니다.
고순도: 결함이 적은 고품질 박막을 위한 99.99%의 순도.
균일한 밀도: 미세한 입자 구조와 낮은 다공성을 위해 진공 열압착 및 HIP 처리.
뛰어난 전기적 및 광학적 특성: 광전자 애플리케이션에 적합한 직접 밴드갭 반도체.
안정적인 스퍼터링 성능: 균일한 박막 두께와 일관된 조성.
맞춤형 크기: 표준 및 맞춤형 직경, 두께, 구성(평면 또는 회전식)으로 제공됩니다.
광전자 장치 : 레이저 다이오드, 광 검출기 및 광통신 부품용.
고주파 전자 장치: HEMT, IC 및 고속 트랜지스터에 사용됩니다.
박막 증착: 마그네트론 스퍼터링 및 증착 코팅 시스템에 적합합니다.
반도체연구: III-V 화합물 반도체 연구 및 나노 구조 개발의 핵심 재료.
전문 제조업체: 고순도 스퍼터링 타겟 및 반도체 재료 전문.
고순도 보장: 정제된 합성 및 구역 용융 공정을 사용하여 생산합니다.
맞춤형 옵션: 다양한 모양(디스크, 직사각형, 링) 및 본딩 서비스 제공.
엄격한 품질 관리: 순도 및 위상 일관성을 위해 ICP-MS 및 XRD 분석으로 검증.
글로벌 공급: 해외 고객을 위한 안전한 포장, 전 세계 물류 및 기술 지원.
포괄적인 문서: 모든 배치에 COA, TDS 및 MSDS가 제공됩니다.
F1. InP 스퍼터링 타겟의 표준 순도는 얼마입니까?
A1. 표준 순도는 99.999%(5N)입니다. 더 높은 등급 및 맞춤형 사양은 요청 시 제공됩니다.
F2. 어떤 크기와 모양을 사용할 수 있습니까?
A2. 당사는 고객의 장비에 따라 크기와 두께를 맞춤화할 수 있는 평면(원형 또는 직사각형) 및 회전 타겟을 제공합니다.
F3. 본딩 서비스를 제공할 수 있습니까?
A3. 예, 요청 시 인듐 또는 엘라스토머 본딩을 백킹 플레이트에 제공합니다.
F4. InP 타겟과 호환되는 증착 방법은 무엇입니까?
A4. DC/RF 마그네트론 스퍼터링 및 진공 증착 시스템에 적합합니다.
F5. 보관 권장 사항은 무엇입니까?
A5. 산화 및 습기 노출을 방지하기 위해 건조하고 불활성인 대기 또는 진공 밀봉된 패키지에 보관하십시오.
각 배치에는 다음과 같이 제공됩니다:
분석 인증서(COA)
기술 데이터 시트(TDS)
물질안전보건자료(MSDS)
요청 시 타사 테스트 보고서가 제공됩니다.
화학 공식: InP
분자량: 283.81 g/mol
순도: 99.99%(사용자 지정 가능)
외관: 회색에서 검은색 금속 분말 또는 타겟
밀도: ~4.8g/cm³
융점: ~700°C
끓는점: ~2000°C
결정 구조: 아연 혼합(큐빅 결정 구조)
스퍼터링 방법: DC 스퍼터링
내부 포장: 오염과 습기를 방지하기 위해 진공 밀봉된 백 및 박스 포장.
외부 포장: 크기와 무게에 따라 선택된 상자 또는 나무 상자.
