산화 갈륨

갈륨 산화물 과립 개요

갈륨 산화물은 화학식 Ga₂O₃를 가지며 일반적으로 백색 결정성 분말 형태로 나타나는 신흥 초광대역 갭 반도체 소재입니다. 약 4.8–4.9 eV의 초광대역 갭, 매우 높은 이론적 파괴 전계 강도, 뛰어난 발리가 수치를 지닌 이 물질은 차세대 초고전압 전력 전자 장치 및 심자외선 광전자 소자 분야에서 막대한 잠재력을 보여줍니다. “4세대 반도체”의 대표 소재 중 하나로 평가받고 있습니다.

당사는 고순도 β-Ga₂O₃ 과립 및 분말을 제공하며, 다양한 순도 수준, 입자 크기, 결정상(주로 β상)에 대한 맞춤 제작을 지원합니다. 샘플 요청은 당사로 문의하십시오.

제품 하이라이트

초광대역 갭 반도체 (~4.9 eV)
탁월한 고전압 내성 (~8 MV/cm)
뛰어난 발리가 수치
선택 가능한 다형체 (주로 β상, 안정상)
고순도 및 제어 가능한 입자 크기

갈륨 산화물 과립의 응용 분야

초고전압 전력 전자공학: 신에너지 차량 및 스마트 그리드의 초고전압 응용을 위한 쇼트키 장벽 다이오드, 전계효과 트랜지스터 등 제조에 사용됩니다.
심자외선 광검출: 미사일 조기경보, 화염 감지, 자외선 통신에 적용되는 태양광 불투과 대역용 심자외선 광검출기 제조에 사용됩니다.
기판 및 에피택셜 재료: 고품질 GaO 균질/이종 에피택셜 성장용 단결정 기판 또는 박막 재료로 활용됩니다.
가스 센서: 표면 활성을 활용하여 산소, 가연성 가스 등을 감지하는 고감도 가스 센서 제작에 사용됩니다.

자주 묻는 질문

Q1: 갈륨 산화물은 실리콘 카바이드 및 갈륨 나이트라이드 대비 어떤 장점이 있나요?
A1: 잠재적 비용 절감 효과와 더 높은 이론적 성능 한계. 초고전압(>1.2kV) 응용 분야에서 낮은 전도 손실과 높은 항복 전압 달성에 유망합니다. 또한 용융 공정으로 대형 단결정 성장 가능하여 비용 절감 잠재력이 있습니다.

Q2: 갈륨 산화물의 “β상”이란 무엇인가요?
A2: 가장 안정적인 결정 구조 상입니다. β-Ga₂O₃는 열역학적으로 가장 안정된 결정 형태이며, 현재 전력 소자 연구 및 응용 분야에서 주로 사용되는 주요 상으로 우수한 전기적 특성을 나타냅니다.

Q3: 갈륨 산화물 과립을 사용하는 것이 안전한가요?
A3: 화학 안전 프로토콜에 따라 취급하십시오. 무기 산화물 분말이므로 흡입 및 눈 접촉을 피하십시오. 취급 시 보호 장비를 착용하십시오. 구체적인 안전 정보는 MSDS를 참조하십시오.

Q4: 갈륨 산화물이 현재 상대적으로 비싼 이유는 무엇인가요?
A4: 산업화의 초기 단계에 있기 때문입니다. 현재 고순도 재료 제조, 단결정 성장 및 소자 제작 공정은 아직 대규모 생산에 이르지 못했습니다. 공급망이 초기 단계에 있어 비용이 높아집니다. 그러나 기술이 발전함에 따라 비용은 감소할 것으로 예상됩니다.

보고서

각 배치에는 다음이 제공됩니다:
분석 증명서(COA)

기술 데이터 시트(TDS)

물질안전보건자료(MSDS)
요청 시 제3자 시험 보고서 제공

왜 저희를 선택해야 할까요?

저희는 첨단 반도체 소재 전문 기업으로, 고품질 산화 갈륨 원료와 전문적인 기술 통찰력을 제공하여 4세대 반도체 발전이 가져올 기회를 포착할 수 있도록 지원합니다.