| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 310700ST001 | GaN | 99.99% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 310700ST002 | GaN | 99.99% | Ø 25.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 310700ST003 | GaN | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 310700ST004 | GaN | 99.999% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 310700ST005 | GaN | 99.999% | Ø 25.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 310700ST006 | GaN | 99.999% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
갈륨 나이트라이드
스퍼터링 타겟은 고순도 갈륨 나이트라이드(GaN) 소재로 제작된 특수 세라믹 타겟입니다. 이는 3세대 광대역갭 반도체 소재로서 GaN의 모든 탁월한 특성을 결합합니다. 물리적 기상 증착(PVD) 기술을 통해 고성능 GaN 박막을 제조하는 핵심 원료로서, 첨단 광전자, RF 및 전력 반도체 소자 제조를 위한 핵심 박막 솔루션을 제공합니다.
다양한 순도, 크기, 결정상 및 전도도 유형의 고품질 GaN 세라믹 스퍼터링 타겟과 전문적인 본딩 서비스를 제공합니다. 문의 바랍니다.
고순도
광대역 갭 반도체(~3.4 eV) 소재
고밀도, 낮은 다공성
탁월한 미세구조 균일성
백킹 플레이트 본딩 가능
광전자 및 디스플레이: 청색/녹색 LED, 레이저 다이오드, 마이크로 LED 디스플레이 칩 제조를 위한 GaN 박막 증착에 사용됩니다.
RF 및 마이크로파 통신: 5G/6G 기지국 및 레이더 시스템을 위한 고출력, 고효율 RF 칩 및 전력 증폭기 제조.
전력 전자 및 고속 충전: 신에너지 차량 및 고속 충전 전원 공급 장치를 위한 고효율, 소형 전력 변환 장치 생산을 위한 박막 증착.
프런티어 및 학제간 연구: 신개념 센서, 양자 소자, 스핀트로닉스 분야의 선구적 탐구를 위한 고성능 박막 원료로 활용됩니다.
Q1: GaN 타겟의 주요 장점은 무엇인가요?
A1: 핵심 이점은 고주파, 고효율, 고전압 내성입니다. 넓은 밴드갭 특성으로 인해 소자가 더 높은 주파수, 전력 수준, 온도에서 작동할 수 있어 기존 실리콘 소재보다 성능이 현저히 우수합니다.
Q2: 필요한 순도 수준은?
A2: 고급 장치 제조 시 최적의 박막 전기적 특성을 보장하려면 일반적으로 99.999%(5N) 이상의 순도가 필요합니다.
Q3: 사용 및 보관 시 주의사항은?
A3: 타겟은 취성이 있으므로 충격 손상을 방지하기 위해 주의하여 취급해야 합니다. 깨끗하고 건조한 환경에서 밀폐된 방습 용기에 보관하십시오.
Q4: 적절한 전도도 유형은 어떻게 선택하나요?
A4: 이는 장치 설계에 따라 다릅니다. N형 타겟은 전자 수송층 제작에 사용되며, 반절연 타겟은 고저항 절연이 필요한 영역에 적합합니다.
각 배치에는 다음이 제공됩니다:
분석 증명서(COA)
물질안전보건자료(MSDS)
요청 시 제3자 시험 보고서 제공 가능
탁월한 성능과 안정성을 갖춘 고품질 GaN 타겟을 제공합니다. 전문성을 바탕으로 소재 선정부터 응용 지원까지 종합적인 솔루션을 제공합니다.
분자 공식: GaN
분자량: 83.73 g/mol
외관: 밝은 노란색에서 회색 세라믹 타겟
밀도: 6.15g/cm³
융점 약 2,497°C(분해 전)
결정 구조: 육각형 또는 입방체
내부 포장: 오염 및 습기 방지를 위해 진공 밀봉 봉지에 포장 후 박스에 담습니다.
외부 포장: 크기와 무게에 따라 골판지 상자 또는 목재 크레이트를 선택합니다.
