인화인듐 (InP) 웨이퍼는 고속 광전자 장치, 광섬유 통신 시스템 및 고주파 반도체 장치 제조에 널리 사용되는 고성능 반도체 소재입니다. 뛰어난 전자 이동도, 낮은 잡음, 넓은 밴드갭 특성을 가진 InP 웨이퍼는 양자 컴퓨팅, 광 검출기, 레이저 및 기타 분야에서 중요한 응용 분야를 가지고 있습니다.
뛰어난 전자 성능: InP 웨이퍼는 전자 이동도가 높고 잡음이 적어 고속, 고주파, 고전력 전자 장치에 적합합니다.
뛰어난 광학 특성: InP의 넓은 밴드갭 특성은 광섬유 통신 및 광전자 장치에 적합합니다.
맞춤화: 다양한 애플리케이션 요구 사항을 충족하기 위해 다양한 크기, 두께, 도핑 유형으로 맞춤형 옵션을 제공합니다.
높은 품질 보증: 당사의 InP 웨이퍼는 엄격한 품질 테스트를 거쳐 국제 표준을 충족하는 고순도, 안정성 및 일관성을 보장합니다.
광섬유 통신: InP 웨이퍼는 광 다이오드, 레이저 및 광 변조기를 포함한 고속 광섬유 통신 시스템에 널리 사용됩니다. 반도체 장치: 전계효과 트랜지스터(FET) 및 고출력 마이크로파 장치와 같은 고주파, 고속 반도체 장치 제조에 사용됩니다.
양자 컴퓨팅 및 양자 통신: 양자 컴퓨팅 및 양자 통신의 핵심 재료 중 하나인 InP는 차세대 전자 및 광전자 기술에 광범위하게 응용되고 있습니다.
광전자 장치: 광 검출기, LED, 레이저 다이오드 등의 광전자 장치 제조에 널리 사용됩니다.
적외선 이미징 및 LiDAR: 적외선 이미징, LiDAR 센서 및 고정밀 광학 측정 장비에 사용됩니다.
맞춤형 서비스: 다양한 애플리케이션 요구 사항을 충족하기 위해 크기, 도핑 유형 및 결정 방향과 같은 맞춤형 옵션을 제공합니다.
빠른 배송: 정시 납품을 보장하고 긴급 주문을 지원하여 고객이 생산 요구 사항을 신속하게 충족할 수 있도록 돕습니다.
전문 기술 지원: 기술팀은 고객이 최고의 제품 솔루션을 선택할 수 있도록 포괄적인 기술 상담과 지원을 제공합니다.
각 제품 배치에는 다음이 함께 제공됩니다 분석 인증서(COA), 기술 데이터 시트(TDS)가 함께 제공됩니다, 물질안전보건자료(MSDS), 및 배송 식별 보고서. 요청 시 타사 테스트 보고서도 제공됩니다.
화학 공식: InP
분자량: 283.81 g/mol
외관: 투명, 무색 웨이퍼
결정 구조: 아연 혼합(큐빅)
내부 포장: 오염과 습기를 방지하기 위해 진공 밀봉된 백 및 박스 포장.
외부 포장: 크기와 무게에 따라 선택된 상자 또는 나무 상자.
