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銅 インジウム ガリウム

Chemical Name:
銅 インジウム ガリウム
Formula:
CuInGa
Product No.:
29493100
CAS No.:
EINECS No.:
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
29493100ST001 CuInGa 99.99% Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
29493100ST002 CuInGa 99.99% Ø 152.4 mm x 6.35 mm Inquire
29493100ST003 CuInGa 99.99% Ø 203.2 mm x 6.35 mm Inquire
Product ID
29493100ST001
Formula
CuInGa
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Product ID
29493100ST002
Formula
CuInGa
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 6.35 mm
Product ID
29493100ST003
Formula
CuInGa
Purity
99.99%
Dimension
Ø 203.2 mm x 6.35 mm

銅インジウムガリウムスパッタリングターゲット概要

銅インジウムガリウム
スパッタリングターゲットは、主に組成調整可能な光電子・機能性薄膜の作製に使用される多元素合金ターゲットです。

銅、インジウム、ガリウムの比率を変化させた各種仕様のターゲットを提供し、装置パラメータに基づくカスタマイズ
をサポートします。技術サポート
についてはお問い合わせ
ください


製品特長

多元素成分の均一な分布
精密に設計可能な組成比率
高ターゲット密度
安定したスパッタリングプロセス
優れた薄膜再現性
良好な接合性
複雑な薄膜構造開発に適応

銅インジウムガリウムスパッタリングターゲットの応用

薄膜太陽電池
材料開発:本ターゲットは金属前駆体薄膜の成膜に広く使用されます。元素比率を調整することで、後続の機能層の性能最適化基盤を提供します。
光電子
機能薄膜の作製:スパッタリングプロセスにより組成均一な合金薄膜が得られ、光学的・電気的特性の制御研究に適しています。
半導体
材料体系研究:多元素半導体材料の探索において、本材料は異なる元素比率がバンド構造に及ぼす影響の研究を支援します。

よくある質問

Q1: プロジェクト要件に応じて元素比率を調整できますか?
A1: はい、ターゲット薄膜の要求に応じて組成を設計・製造可能です。

Q2: 本ターゲットはスパッタリング装置に特別な要求がありますか?
A2: 主流のスパッタリングシステムと互換性があります。具体的なパラメータは装置条件に基づき最適化が必要です。

Q3: スパッタリング中に膜組成の偏析は起こりやすいですか?
A3: 適切な電力と雰囲気制御下では、膜組成は良好な均一性を維持します。

Q4: ターゲットは長期連続スパッタリングに適していますか?
A4: ターゲット構造は安定しており、連続成膜や複数バッチの工程試験に適しています。
各バッチには以下の書類を添付:

分析証明書(COA)

技術データシート(TDS)

安全データシート(MSDS)

第三者試験報告書

ご要望に応じて提供


当社を選ぶ理由

当社は多元素合金スパッタリングターゲットの調製と品質管理において豊富な経験を有しています。組成設計から完成品試験まで体系的なプロセスにより、安定した均一な材料品質、柔軟なカスタマイズ能力、継続的な信頼性の高い納品サポートを提供し、プロジェクトの効率的な進行を支援します。

化学式CuInGa
外観銀灰色から濃い灰色の緻密なスパッタリングターゲット

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。

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