ULPMAT

金属ルテニウム

Chemical Name:
金属ルテニウム
Formula:
Ru
Product No.:
4400
CAS No.:
7440-18-8
EINECS No.:
231-127-1
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
4400ST001 Ru 99.95% Ø 20 mm x 15 mm Inquire
4400ST002 Ru 99.95% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
4400ST003 Ru 99.95% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
4400ST004 Ru 99.95% Ø 101.6 mm x 6.35 mm Inquire
4400ST005 Ru 99.95% 200 mm x 50 mm x 5mm Inquire
Product ID
4400ST001
Formula
Ru
Purity
99.95%
Dimension
Ø 20 mm x 15 mm
Product ID
4400ST002
Formula
Ru
Purity
99.95%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
4400ST003
Formula
Ru
Purity
99.95%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm
Product ID
4400ST004
Formula
Ru
Purity
99.95%
Dimension
Ø 101.6 mm x 6.35 mm
Product ID
4400ST005
Formula
Ru
Purity
99.95%
Dimension
200 mm x 50 mm x 5mm

ルテニウム金属スパッタリングターゲット概要

ルテニウム

金属スパッタリングターゲットは、

高純度ルテニウム金属を溶解、鍛造、圧延、仕上げ加工により製造した薄膜成膜材料です。優れた化学的不活性、安定性、電気伝導性を有し、半導体製造、光電子薄膜、抵抗膜材料、硬質コーティング、精密電子機器に広く使用されています。 高密度、低不純物含有量、優れたスパッタリング効率を備えたこれらのターゲットは、先進的な薄膜作製に欠かせない部品です。

当社は、さまざまな形状、サイズ、密度の高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを提供しており、研究プロジェクト向けの OEM および特別仕様も対応しています。お気軽にお問い合わせ
ください

製品のハイライト

高純度ルテニウム金属
高密度、安定したスパッタリング速度
複数のサイズと形状をご用意
不純物含有量が極めて低く、ハイエンド薄膜に適しています。
均一な微細構造、信頼性の高いターゲット性能
カスタムバックプレーンサポート(ボンディングサービス
長期のバルク供給が可能
安全なグローバル配送、トレーサブルな品質

ルテニウム金属スパッタリングターゲットの用途

マイクロエレクトロニクスデバイスにおける導電性薄膜およびバリア層の作製に使用されます。
磁気記録材料およびデータストレージ薄膜の堆積に適用されます。
光電子
デバイスおよびセンサー薄膜の主要機能ターゲットとして使用されます。
ハードコーティング、耐摩耗性フィルム、および表面強化薄膜システムに使用されます。

よくある質問

Q1:ルテニウムスパッタリングターゲットの加工方法はカスタマイズできますか?
A1: はい、熱間等方性プレス(HIP)、真空溶解、冷間圧延、機械加工など様々な製造方法を提供しており、要求に応じて形状やサイズをカスタマイズ可能です。

Q2: ターゲットの保管・輸送における特別な要件はありますか?
A2: オリジナルの包装を密封した状態で保管し、乾燥した環境に保管し、硬い物体との衝突を避けることを推奨します。 貴金属スパッタリングターゲットは優れた耐食性を有しますが、表面のキズがスパッタリング安定性に影響しないよう注意が必要です。

Q3: 通常の金属スパッタリングターゲットと比較したルテニウムターゲットの利点は?
A3: ルテニウムターゲットは化学的不活性性がより安定し、融点が高く、不純物移行リスクが低いため、要求の厳しいマイクロエレクトロニクスや半導体薄膜用途に適しています。

Q4: スパッタリング用バックプレーン接合サービスは提供していますか?
A4: ターゲットの放熱性とスパッタ寿命を向上させるため、Mo、Cu、Alをバックプレーンとした拡散接合サービスを提供可能です。お客様指定の図面に基づく加工にも対応します。

報告書

各ロットに付属:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
安全データシート(MSDS)
第三者試験報告書はご要望に応じて提供可能です。

当社を選ぶ理由

成熟した貴金属スパッタリングターゲット製造技術を有し、ターゲットの安定した密度、均一な構造、信頼性の高い性能を保証します。
原材料管理から精密加工、最終試験まで、完全なスパッタリングターゲット供給システムを提供し、全ロットのトレーサビリティを確保します。
お客様のニーズに迅速に対応し、技術サポート、設計アドバイス、サンプル提供、バルクストック準備サービスを提供します。
豊富な国際輸送実績に基づき、安全で堅牢な包装により、ターゲットを世界中に迅速かつ確実に配送します。
薄膜技術、半導体企業、研究機関向けに、高安定性・高純度の貴金属スパッタリングターゲットソリューションを提供することに尽力しています。

化学式Ru
原子量: 101.07 g/mol
外観銀灰色の金属ブロック、ディスク、または長方形のターゲット
密度: 12.37 g/cm³(固体)
融点:2334 °C
沸点:4150 °C
結晶構造:六方最密充填 (HCP)
硬度:モース硬度約6.5

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木製クレートを選択します。

資料

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