| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 7400ST001 | W | 99.95% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 7400ST002 | W | 99.95% | Ø 25.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 7400ST003 | W | 99.95% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 7400ST004 | W | 99.95% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 7400ST005 | W | 99.95% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 7400ST006 | W | 99.95% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 7400ST007 | W | 99.95% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 7400ST008 | W | 99.95% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 7400ST009 | W | 99.95% | 214 mm x 56 mm x 12mm | Inquire |
| 7400ST010 | W | 99.95% | 764 mm x 131 mm x 14 mm | Inquire |
タングステンメタルターゲットスパッタリングターゲットは、過酷な環境下での薄膜形成プロセス用に開発された高性能材料です。極めて高い融点、優れた熱安定性、優れた機械的強度を有しています。99.95%までの高純度で、半導体、オプトエレクトロニクス、機能性薄膜の用途に適しています。
我々は、円形、長方形とリング形状を含む様々な形やサイズのタングステン金属ターゲットを提供し、お客様のニーズに応じてカスタマイズすることができます。また アフターアフターサービス体制も万全です。
純度：99.95
高融点（約3,420℃）、高温蒸着環境に最適
高硬度・高密度（約19.3g/cm³）。
優れた耐食性
カスタマイズ可能サイズ、形状、設置方法
半導体デバイス：ゲート、電極、バリア層に使用され、特にCMOSやDRAMなどの先端プロセスに適しています。
メモリーおよびパッケージング：メタルゲート、ビアフィリング、バッファー層などに適している。
フラットパネルディスプレイ: TFT-LCDやAMOLED製造のゲート材料として使用される。
太陽電池モジュール：CIGSやペロブスカイトセルの裏面電極などに使用される。
高温耐性の光学コーティング：高い反射率と安定性を提供し、赤外線ウィンドウやリフレクターなどに使用される。
以下のフルセットを提供します。 分析証明書（COA）製品安全データシート(MSDS)および寸法公差報告書。お客様が第三者試験サービスを必要とする場合、私たちはまた、製品の品質のトレーサビリティとコンプライアンスを確保するために、それらを手配するお手伝いをすることができます。
分子式W
分子量：183.84 g/mol
外観表面が滑らかな銀灰色の金属ターゲット
密度：約19.3 g/cm³（理論密度に近い）
融点：約3,422 °C（全金属の中で最も高い融点のひとつ）
結晶構造：体心立方(BCC)
包装：真空シールされた袋と、汚染や湿気を防ぐための箱詰め。
外箱梱包：サイズと重量に応じて選択されたカートンまたは木枠。
