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金属インジウム

Chemical Name:
金属インジウム
Formula:
In
Product No.:
4900
CAS No.:
7440-74-6
EINECS No.:
231-180-0
Form:
フォイル
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
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4900FI002 In 99.99% 100 mm x 100 mm x 0.1mm Inquire
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4900FI009 In 99.999% 100 mm x 100 mm x 2mm Inquire
Product ID
4900FI001
Formula
In
Purity
99.995%
Dimension
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Product ID
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Formula
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Dimension
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4900FI003
Formula
In
Purity
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Product ID
4900FI004
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Purity
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Dimension
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Product ID
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Product ID
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In
Purity
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Dimension
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Product ID
4900FI007
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Purity
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Dimension
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Product ID
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Formula
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Purity
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Dimension
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Product ID
4900FI009
Formula
In
Purity
99.999%
Dimension
100 mm x 100 mm x 2mm

インジウム金属箔の概要

インジウム金属インジウム金属箔は、高純度で柔らかく延性のある金属材料であり、エレクトロニクス、半導体、熱界面材料、および先端研究用途に広く使用されています。優れた可鍛性、低融点、高導電性を持つインジウム箔は、精密接合、薄膜蒸着、低温熱管理ソリューションに最適です。

当社のインジウム箔は、99.99%(4N)~99.999%(5N)の純度、均一な厚さ、滑らかな表面、信頼性の高い機械的特性を特徴としており、工業生産および 研究所用途で安定した性能を発揮します。

インジウム箔の製品ハイライト

高純度:4N~5Nの純度で不純物を最小限に抑え、高い信頼性を実現。
柔軟な厚み:標準厚さ0.01mmから0.5mmまで、カスタマイズ可能。
優れた導電性信頼性の高い電気的・熱的性能
滑らかな表面:ボンディングおよび蒸着用に、研磨仕上げまたはマット仕上げのオプションがあります。
安定した品質:エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、材料研究に適しています。

インジウム金属箔の用途

熱インターフェース材料:マイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスにおける熱伝導の向上。
半導体 およびエレクトロニクス:低温接合、相互接続、はんだ付けに使用。
薄膜蒸着蒸発源やラミネート構造に応用。
オプトエレクトロニクス デバイス:LED、光検出器、赤外線センサーに最適です。

当社と提携する理由

材料の専門知識:高純度金属と箔製品における数十年の経験。
カスタムソリューション:柔軟な箔厚、サイズ、表面仕上げ。
品質保証:ICP-MSによる不純物管理と厳格な機械的特性チェック。
信頼できる供給:安定した生産とグローバルな納期遵守
技術サポート:専任チームがお客様のプロジェクト要件をサポートします。

よくある質問

F1.インジウム箔にはどのような純度グレードがありますか?
A1.99.99%(4N)と99.999%(5N)のグレードがあります。

F2.箔厚、箔幅のカスタマイズは可能ですか?
A2.厚みは0.01~0.5mm、幅は10mm~500mmまで対応可能です。

F3.どのような表面仕上げがありますか?
A3.用途に応じて、ポリッシュ仕上げ(鏡面)またはマット仕上げが可能です。

F4.インフォイルはサーマルインターフェイス材に使用できますか?
A4.はい、電子機器やオプトエレクトロニクスの熱管理ソリューションに広く応用されています。

F5.インジウム箔は主にどのような産業で使用されていますか?
A5.半導体、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、エネルギー材料、学術研究。

レポート

各バッチには以下が添付されています:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
製品安全データシート(MSDS)
ご要望に応じて、第三者機関による試験報告書をご提供いたします。

化学式:で
原子量: 114.818
密度: 7.31 g/cm³
融点: 156.6°C
沸点: 2072°C
結晶構造:六方最密充填

包装:真空シールされた袋で、汚染や湿気を防ぐために箱詰めされている。

外箱梱包:サイズと重量に応じて選択されたカートンまたは木枠。

SKU 4900FI カテゴリー ブランド:

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