ULPMAT

酸化インジウム

Chemical Name:
酸化インジウム
Formula:
In2O3
Product No.:
490800
CAS No.:
1312-43-2
EINECS No.:
215-193-9
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
490800ST001 In2O3 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
490800ST002 In2O3 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
490800ST003 In2O3 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
490800ST004 In2O3 99.99% Ø 101.6 mm x 4 mm Inquire
490800ST005 In2O3 99.99% Ø 101.6 mm x 6.35 mm Inquire
490800ST006 In2O3 99.99% Ø 152.4 mm x 3.175 mm Inquire
490800ST007 In2O3 99.99% Ø 152.4 mm x 6.35 mm Inquire
490800ST008 In2O3 99.99% Ø 203.2 mm x 3.175 mm Inquire
490800ST009 In2O3 99.995% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
490800ST010 In2O3 99.995% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
490800ST011 In2O3 99.995% Ø 101.6 mm x 4 mm Inquire
490800ST012 In2O3 99.995% Ø 101.6 mm x 6.35 mm Inquire
490800ST013 In2O3 99.995% Ø 152.4 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
490800ST001
Formula
In2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
490800ST002
Formula
In2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
490800ST003
Formula
In2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
490800ST004
Formula
In2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 4 mm
Product ID
490800ST005
Formula
In2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 6.35 mm
Product ID
490800ST006
Formula
In2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 3.175 mm
Product ID
490800ST007
Formula
In2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 6.35 mm
Product ID
490800ST008
Formula
In2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 203.2 mm x 3.175 mm
Product ID
490800ST009
Formula
In2O3
Purity
99.995%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
490800ST010
Formula
In2O3
Purity
99.995%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
490800ST011
Formula
In2O3
Purity
99.995%
Dimension
Ø 101.6 mm x 4 mm
Product ID
490800ST012
Formula
In2O3
Purity
99.995%
Dimension
Ø 101.6 mm x 6.35 mm
Product ID
490800ST013
Formula
In2O3
Purity
99.995%
Dimension
Ø 152.4 mm x 3.175 mm

酸化インジウムスパッタリングターゲットの概要

酸化インジウム(In2O3)スパッタリングターゲットは、透明導電膜、光電子デバイス、先端半導体研究に広く使用されている高純度セラミック材料です。優れた光学的透明性、制御可能な導電性、安定した化学的特性を持つIn₂O₃スパッタリングターゲットは、ディスプレイ、太陽電池、機能性コーティングの薄膜蒸着に最適です。

当社のIn2O3スパッタリングターゲットは、99.995%(4N5)純度以上で製造され、高密度、均一な微細構造、安定した性能を特徴とし、工業生産と学術研究の両方で再現可能な薄膜品質を保証します。

酸化インジウムスパッタリングターゲットの製品ハイライト

高純度:99.995%(4N5)以上の高純度により、信頼性の高い薄膜性能を保証します。
優れた透明性可視域で高い光学透過率を実現
安定した電気特性オプトエレクトロニクス用途に適した調整可能な抵抗率。
緻密な微細構造焼結密度が高く、スパッタリング効率が向上します。
柔軟なオプションカスタム形状、ボンディング、バッキングプレートが可能。

酸化インジウムスパッタリングターゲットの用途

透明導電膜ディスプレイ、OLED、タッチパネルに使用。
オプトエレクトロニクスデバイス:受光素子、センサー、機能性薄膜などに応用される。
薄膜太陽電池電極層やバッファー層に適している。
半導体: 薄膜トランジスタや集積デバイス用。
研究開発:酸化物エレクトロニクス用の研究所で広く使用されています。

弊社を選ぶ理由

専門サプライヤー:透明導電性及び半導体スパッタリングターゲットに特化しています。
カスタマイズサポート:サイズ、純度、組成の柔軟なカスタマイズ。
厳格な品質管理:ICP-MS不純物分析により、超低不純物レベルを保証します。
グローバルデリバリー:安全な包装、迅速な出荷、国際的な顧客をサポートします。
完全な文書化:COA、TDS、MSDS、不純物レポートを提供します。

よくある質問

F1.In2O3スパッタリングターゲットの純度は?
A1.標準純度は99.99%(4N)です。ご要望に応じて、より高い純度も提供可能です。

F2.特注の寸法や形状は可能ですか?
A2.はい、円形、長方形、カスタムデザインも可能です。

F3.どのようなバッキングプレートがありますか?
A3.銅(Cu)、モリブデン(Mo)、アルミ(Al)板があります。

F4.酸化インジウムターゲットの主な用途は何ですか?
A4.透明導電膜、太陽電池、センサー、TFT、研究開発プロジェクト。

F5.ターゲットはどのように梱包されて出荷されるのですか?
A5.ターゲットは真空密封され、安全な配送のために衝撃防止包装で保護されています。

レポート

各バッチには
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
製品安全データシート(MSDS)
ご要望に応じて、第三者機関による試験報告書をご提供いたします。

分子式In₂O₃
分子量:277.64g/mol
外観オフホワイトまたは淡黄色のセラミックターゲット
密度: ≥ 7.18 g/cm³ (理論密度に近い)
融点: 1910°C
沸点: ~2000°C
結晶構造立方晶(ビックスバイト構造)
接合方法ボンディングなし / In₂はんだ付け / 機械的固定
バッキングプレートオプション銅(Cu)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、カスタムオプションあり

包装:真空シールされた袋で、汚染や湿気を防ぐために箱詰めされている。

外箱梱包:サイズと重量に応じて選択されたカートンまたは木枠。

SKU 490800ST カテゴリー ブランド:

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