| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 291601ST001 | CuS | 99.999% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 291601ST002 | CuS | 99.999% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 291601ST003 | CuS | 99.999% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 291601ST004 | CuS | 99.999% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 291601ST005 | CuS | 99.999% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | Inquire |
硫化銅
スパッタリングターゲットは、主に光電子デバイス、導電性薄膜、材料研究における薄膜成膜に使用される機能性材料です。
当社は、安定した組成と高い密度・均一性を備えた硫化銅スパッタリングターゲットを提供し、様々なサイズと構造に対応しています。技術
情報およびカスタマイズソリューションについてはお問い合わせください
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安定した合金化学組成
高ターゲット密度
良好なスパッタリング均一性
一貫した薄膜組成
優れた表面仕上げ
ボンディング
およびバックプレーンオプション
各種装置との互換性
光電子
デバイス薄膜作製:安定した導電性と半導体
特性を有する硫化銅薄膜の成膜が可能で、光電子デバイスの研究開発ニーズに対応します。
機能性薄膜・表面コーティング:スパッタリングプロセスにより耐食性・密着性に優れた薄膜コーティングを形成し、表面改質や機能設計を実現。
センサー・電子デバイス研究:膜組成と性能の高一貫性が求められるセンサー・電子デバイスの研究開発に最適。
材料加工・性能研究:研究機関において薄膜構造・成膜条件・性能制御の関係性研究に広く活用。
質問Q1: 硫化銅スパッタリングターゲットに適したスパッタリング法は?
A1: DCスパッタリングやRFスパッタリングなど一般的な方法に使用可能です。具体的な方法は装置条件に応じて選択してください。
Q2: ターゲットの密度はスパッタリング効果に影響しますか?
A2: 高密度化によりスパッタリング安定性が向上し、より均一な膜組成・膜厚が得られます。
Q3: 異なるサイズや形状のターゲットはカスタマイズ可能ですか?
A3: 装置やプロセス要件に基づき、様々なサイズ・厚さ・形状のカスタマイズターゲットを提供可能です。
Q4: ターゲットの保管・輸送時の注意点は?
A4: 表面状態と性能を保証するため、湿気や汚染を避ける密封容器での保管を推奨します。
各バッチには以下を添付:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
安全データシート(MSDS)
第三者試験報告書
ご要望に応じて提供
当社は金属硫化物スパッタリングターゲットの製造と品質管理に注力し、材料均一性、加工精度、納品安定性を重視することで、研究機関および産業顧客向けに信頼性が高く評価度の高い薄膜成膜ソリューションを提供します。
化学式CuS
分子量: 95.61 g/mol
外観黒色の高密度ターゲット
密度: 5.6 g/cm³
融点:1,200 °C(分解前)
結晶構造斜方晶
内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。
外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木製クレートを選択します。