硫化タンタルスパッタリングターゲットは、ハイエンド薄膜成膜プロセス用に設計された先進的な材料であり、次世代電子デバイス、エネルギー貯蔵、光電子デバイスの分野で広く使用されています。ターゲットは高純度、高密度、良好な導電性を持ち、精密機能膜の成膜ニーズを効果的にサポートすることができます。
弊社は様々な硫化タンタルスパッタリングターゲットを提供し、お客様の特定のニーズに応じてカスタマイズすることができます。また、包括的なアフターサービス技術サポート を提供しております。
純度：99.9
高エネルギースパッタリング環境に適した高密度セラミック構造
様々なサイズと形状のカスタマイズに対応
ターゲットボンディングサービス提供可能
不純物が少なく、安定した膜性能を確保
二次元材料研究TaS₂は層状遷移金属硫化物で、二次元材料研究の分野で広く注目されており、独特な電気/光学特性を持つ薄膜の作製に適しています。
半導体および集積回路：高性能電極、コンタクト層またはヘテロ接合構造の構築に使用できる。
エネルギー貯蔵リチウムイオン電池やスーパーキャパシタの電極材料として、エネルギー貯蔵密度やサイクル安定性の向上に役立つ。
オプトエレクトロニクスおよびセンサー用途：高感度光検出器やガスセンサー用の機能性膜の作製に使用される。
詳細な 分析証明書（COA）物質安全データシート（MSDS）および各バッチのTaS₂スパッタリングターゲットに必要なその他のレポートを提供します。また、お客様の品質検証プロセスを強化するために、第三者試験サービスもサポートしています。
分子式TaS₂
分子量：約182.94g/mol
外観：濃い灰色の緻密なセラミックターゲット、滑らかで均一な表面
密度：約6.9g/cm³（理論密度に近い）
結晶構造：六方晶系（層状構造）
包装：真空シールされた袋と、汚染や湿気を防ぐための箱詰め。
外箱梱包：サイズと重量に応じて選択されたカートンまたは木枠。
