| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 730800ST001 | Ta2O5 | 99.95% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 730800ST002 | Ta2O5 | 99.95% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 730800ST003 | Ta2O5 | 99.95% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 730800ST004 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 25.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 730800ST005 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 730800ST006 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 730800ST007 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 730800ST008 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 730800ST009 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 203.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
五酸化タンタルスパッタリングターゲットは、マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、精密光学分野で広く使用されている主要材料です。高い誘電率、優れた光学的透明性、熱的安定性により、次世代電子デバイスにおいて卓越した性能を発揮します。
五酸化タンタルスパッタリング用ターゲットは、円形、長方形など様々なサイズ、形状を取り揃えており、お客様の用途に合わせてカスタマイズすることが可能です。また、包括的な技術サポートと アフターサービスを提供しています。
純度：99.95%～99.995
先端電子デバイス向けの高い誘電特性
過酷な環境に対応する優れた化学的安定性
様々なスパッタリング装置に対応するカスタマイズ可能なサイズと仕様
ターゲットボンディング サービス
低パーティクル脱落率による膜質の向上
半導体 デバイスCMOSデバイスやDRAMキャパシタのHigh-kゲート酸化膜材料として使用される。
光学用薄膜干渉フィルターや反射防止膜などの光学部品の高屈折率材料として使用される。
データストレージ抵抗ランダムアクセスメモリ（RRAM）の機能性酸化物層として使用される。太陽電池反射防止層やバッファー層として使用され、光吸収効率やデバイスの安定性を向上させる。
詳細な 分析証明書（COA）MSDS）、および各バッチのTa₂O₅スパッタリングターゲットに関連する技術報告書を提供します。また、品質保証をさらに強化するために、第三者機関による独立試験サービスもサポートしています。
分子式Ta₂O₅
分子量：441.89 g/mol
外観滑らかな表面を持つ白色の緻密なセラミックターゲット
密度約8.2 g/cm³（理論密度に近い）
融点約1,880°C
結晶構造単斜晶系
包装：真空シールされた袋と、汚染や湿気を防ぐための箱詰め。
外箱梱包：サイズと重量に応じて選択されたカートンまたは木枠。
