| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 2300ST001 | V | 99.9% | Ø 25.4mm x 6.35mm | Inquire |
| 2300ST002 | V | 99.9% | Ø 50.8mm x 3.175mm | Inquire |
| 2300ST003 | V | 99.9% | Ø 50.8mm x 6.35mm | Inquire |
| 2300ST004 | V | 99.95% | Ø 76.2mm x 3.175mm | Inquire |
| 2300ST005 | V | 99.95% | Ø 76.2mm x 6.35mm | Inquire |
| 2300ST006 | V | 99.95% | Ø 100mm x 10mm | Inquire |
| 2300ST007 | V | 99.95% | Ø 101.6mm x 6.35mm | Inquire |
| 2300ST008 | V | 99.95% | 200 mm x 100 mm x 10 mm | Inquire |
| 2300ST009 | V | 99.9% | 639 mm x 145 mm x 6 mm | Inquire |
バナジウム金属スパッタリング
ターゲット
は
、薄膜成膜に使用される機能性金属材料であり、優れた安定性と制御可能なスパッタリング性能を発揮します。これらの製品は、半導体薄膜、機能性コーティング、科学研究実験、および関連する真空蒸着分野で広く使用されています。
当社は様々なサイズと構造のバナジウム金属スパッタリングターゲットを提供し、カスタム加工をサポートします。技術ソリューションについてはお問い合わせ
ください。
均一な金属組成
安定したスパッタリングプロセス
高ターゲット密度
各種真空装置との互換性
バックプレーンボンディング
対応カスタムサイズ対応
半導体・マイクロエレクトロニクス薄膜：
バナジウム金属スパッタリングターゲットはバナジウム金属薄膜の成膜に使用でき、マイクロエレクトロニクスデバイスの製造や関連構造層に適しています。
機能性コーティングと表面改質：
機能性コーティング分野において、本ターゲットは耐摩耗性、導電性、または特殊な物理特性を有する金属薄膜の作製に頻繁に使用されます。
科学研究と実験室でのスパッタリング研究：
バナジウムターゲットは、大学や研究機関において、新規薄膜材料のプロセス探索や性能試験に広く利用されています。
特殊材料・プロセス開発：
バナジウム金属スパッタリングターゲットは、新材料・新プロセスの開発において金属成膜の重要な供給源となる。
質問Q1：バナジウム金属スパッタリングターゲットに適したスパッタリング法は？
A1：DCスパッタリングまたはRFスパッタリングに使用可能。具体的な方法は装置構成とプロセス要件による。
Q2: バナジウムターゲットはスパッタリング中に安定していますか？
A2: 適切なプロセスパラメータ下では、バナジウム金属ターゲットは良好なスパッタリング安定性を示し、均一な薄膜の形成に寄与します。
Q3: バナジウム金属スパッタリングターゲットはバックプレーン接合可能ですか？
A3: はい、用途要件に応じて、バナジウムターゲットは銅バックプレーンなどの材料に接合でき、放熱性と設置安定性を向上させます。
Q4: バナジウムターゲットは研究用と量産用のどちらに適していますか？
A4: 本製品は、科学研究実験におけるプロセス検証から小ロット生産・カスタマイズ生産まで幅広く対応可能です。
各ロットに付属する
：
寸法検査報告書
第三者機関による試験報告書はご要望に応じて提供可能です
当社は長年スパッタリングターゲット及び関連金属材料の供給に注力してまいりました。薄膜成膜におけるバナジウム金属の応用特性を熟知し、安定したターゲット品質、柔軟なカスタマイズ
能力、明確な技術サポート
を提供することで、お客様のスパッタリングプロジェクトを円滑に推進するお手伝いをいたします。
分子式V
分子量：50.9415 g/mol
外観銀灰色金属ターゲット
密度：6.11 g/cm³
融点：1910
沸点：3377
結晶構造六方最密充填 (hcp)
内包装：汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。
外包装：サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。
