テルル化銅
スパッタリングターゲットは、半導体および熱電機能性薄膜の成膜に不可欠な材料です。
当社は高純度ターゲットを正確な化学量論比で供給します。技術
仕様やカスタム要件に関するお問い合わせをお待ちしております。
高い熱電変換効率
化学的に安定した膜特性
高純度グレード
優れた信頼性を持つスパッタリング性能
熱電デバイス:廃熱を直接利用可能な電気エネルギーに変換する高性能熱電モジュールの重要薄膜層の製造に使用。
太陽光吸収層:新規薄膜太陽電池の代替吸収材として機能し、独特な光電応答特性を示す。
相変化メモリ材料:先進的な相変化メモリ(PCM)デバイスに利用され、データ保存のためにその迅速かつ安定した結晶-非晶質転移を活用。
赤外線検出・センシング:成膜された薄膜は、特定の赤外線波長帯に感度を持つ光検出器やセンシング素子の製造を可能にします。
Q1: テルル化銅薄膜の主な特性は何ですか?
A1: 優れた熱電特性、狭いバンドギャップ、赤外線感度を有し、エネルギー変換・検出用途に適しています。
Q2: ターゲット材料の化学量論比(Cu:Te)は調整可能ですか?
A2: はい。研究やプロセス要件に応じて、CuTeやCu₂Teなど異なる化学量論比のターゲット材料を調製可能です。
Q3: このターゲット材料を使用する際のスパッタリング環境要件は?
A3: 通常、制御雰囲気が必要です。特に反応性スパッタリングでは、反応ガス(窒素、酸素など)の分圧を精密に制御し、目的の薄膜を得る必要があります。
Q4: 熱電性能はどのように評価されますか?
A4: 主に成膜物のゼーベック係数、電気伝導度、熱伝導度を測定し、最終的に性能指標(ZT値)を算出します。
各ロットには以下を添付:
分析証明書(COA)
安全データシート(MSDS)
第三者試験報告書(要請求)
当社は化合物半導体
ターゲットの専門メーカーです。高度な製造技術と厳格な品質管理システムにより、すべてのターゲットにおいて卓越した性能の一貫性と信頼性を保証します。専門的な技術サポートとカスタマイズソリューションの提供に注力し、薄膜技術の研究開発と応用におけるお客様の信頼できるパートナーとしてご支援いたします。
化学式CuTe
分子量: 159.56 g/mol
外観黒色、緻密なターゲット材
密度: 6.2 g/cm³
融点:1,050 °C(分解前)
結晶構造六方晶
内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。
外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木製クレートを選択します。