チタン・シリコンカーバイド

 チタンシリコンカーバイドスパッタリングターゲット概要

チタンシリコン

カーバイドスパッタリングターゲットは

、MAX相構造を基盤とする機能性セラミックターゲットであり、金属の導電性とセラミックの高温耐性を兼ね備えています。これらのターゲットは主に、高温耐性、導電性、構造安定性を必要とする機能性薄膜の作製に使用されます。

当社は組成均一で構造安定性に優れたTi3SiC2スパッタリングターゲットを提供しており、DCまたはRFマグネトロンスパッタリングプロセスに適しています。装置要件に応じ、様々なサイズや構造形態をご用意可能です。技術仕様や応用提案についてはお問い合わせ
ください。

製品特長

MAX

相

層状

結晶構造

優れた電気伝導性（マグネトロンスパッタリングに適応）
優れた熱安定性と耐熱衝撃性
スパッタリング時の組成安定性と良好な再現性
高温・真空蒸着環境への適応性
機能性・構造性薄膜の作製が可能

チタンシリコンカーバイドスパッタターゲットの応用例

機能性薄膜成膜：
導電性と耐熱性を併せ持つ機能性薄膜の作製に用いられ、ハイエンド機能デバイス用途に適する。
耐熱性・保護コーティング：
Ti₃SiC₂薄膜は高温条件下で優れた構造安定性を示し、高温保護・構造コーティングに適用可能。
半導体・マイクロエレクトロニクス研究：
半導体デバイス、MEMS、関連材料研究における機能層成膜に適する。
科学研究・材料開発：
MAX相薄膜、成長メカニズム、新規層状材料の研究に広く活用。

よくある

質問Q1: Ti3SiC2スパッタリングターゲットはどのスパッタリング法に適していますか？
A1: 本ターゲットは導電性に優れ、DCマグネトロンスパッタリングおよびRFマグネトロンスパッタリングシステムに使用可能です。

Q2: Ti3SiC2ターゲットの組成はスパッタリング中に安定していますか？
A2: 適切なプロセスパラメータ下では、本スパッタリングターゲットは良好な組成安定性を維持でき、高い再現性が要求される薄膜成膜に適しています。

Q3: Ti3SiC2スパッタリングターゲットは高温成膜プロセスに適していますか？
A3: はい。本ターゲット材料は優れた熱安定性と耐熱衝撃性を有し、高温または長時間のスパッタリング条件に適しています。

Q4: Ti3SiC2薄膜は主にどの研究分野で使用されますか？
A4: 主にMAX相薄膜、生体適合性材料研究、耐摩耗・高温コーティング、導電性セラミック薄膜に使用されます。

報告書

各ロットに付属：
分析証明書（COA）
技術データシート（TDS）
安全データシート（MSDS）
サイズ検査報告書
第三者試験報告書はご要望に応じて提供可能

当社を選ぶ理由

当社は機能性セラミックス及び先端ターゲット材料の研究・供給を専門とし、材料構造制御、ターゲット緻密化、応用適応のための安定かつ信頼性の高いソリューションを提供し、研究用および産業用薄膜成膜ニーズをサポートします。