モリブデンセレン化物
スパッタリングターゲットは、優れた層状構造、電気伝導性、化学的安定性を備えた二次元遷移金属二セレン化物材料です。成膜された薄膜は、光電子デバイス、二次元半導体、フレキシブルエレクトロニクス、触媒材料の製造において卓越した性能を発揮し、科学研究や高性能薄膜製造に理想的な材料選択肢となります。
当社は様々な純度、サイズ、厚さのMoSe2スパッタリングターゲットを製造可能です。サンプルや技術情報の入手をご希望の場合はお気軽にお問い合わせください。
不純物が最小限の高純度材料
均一な成膜を実現する完全な層状構造
カスタムサイズ・厚さ・構造に対応
各種マグネトロンスパッタリングシステムに適応
安定した電気特性、二次元デバイスに最適
表面精密研磨・ボンディング
処理対応
二次元半導体薄膜・トランジスタ材料の作製に使用
光電子デバイスにおける導電性・光応答性機能層として使用
フレキシブル電子材料・透明機能薄膜の成膜に使用
触媒担体およびエネルギー材料薄膜の製造に役割を果たす。
Q1: MoSe2スパッタリングターゲットは安全な輸送のためにどのように包装されますか?
A1: スパッタリングターゲットは真空密封され、耐衝撃性外箱に包装され、輸送中の汚染や損傷を防ぎます。
Q2: スパッタリングターゲットのサイズや形状はカスタマイズ可能ですか?
A2: はい。円形、矩形、セグメント化、複合バックプレートなどカスタマイズ対応可能です。表面研磨やボンディング加工も承ります。
Q3: MoSe2スパッタリングターゲットの保管方法は?
A3: 乾燥した涼しい密閉環境での保管を推奨します。湿気や化学的に腐食性のあるガスへの長時間の曝露を避け、スパッタリングターゲットの性能安定性を維持してください。
Q4: 製品の純度と性能はどのように保証されていますか?試験データは提供可能ですか?
A4: 高純度原料を使用し、各バッチのスパッタリングターゲットはICP、XRD、XRF等の試験を実施。完全な組成・品質報告書により安定した性能を保証します。
各ロットに付属:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
化学物質安全データシート(MSDS)
第三者試験報告書はご要望に応じて提供可能です。
二次元材料および遷移金属二セレン化物スパッタリングターゲットの研究・製造を専門とし、先進的な粉末合成、焼結、精密加工技術を保有しています。 当社のMoSe2スパッタリングターゲットは、高純度・高密度・優れた均一性を特徴とし、科学研究から産業応用まで幅広いニーズに対応します。安定した品質、迅速な納期、柔軟なカスタマイズ、専門的な技術サポートにより、世界中の研究機関やハイエンドコーティング企業から信頼される長期パートナーとして選ばれています。
化学式MoSe2
分子量: 253.88 g/mol
外観灰黒色の緻密な円盤状または長方形のターゲット材で、表面は滑らか。
密度: ≈ 6.5 g/cm³
融点約 1185 °C
沸点約2200 °C
結晶構造六方最密充填結晶系(HCP、層状構造)
内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。
外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。