シリコン
ウェーハ
は
単結晶または多結晶シリコンから製造されるシート状の基板材料であり、半導体およびマイクロエレクトロニクス製造における中核材料です。集積回路、パワーデバイス、MEMS、センサー、科学研究プロセス開発など幅広い用途で使用されています。
当社は様々なプロセスルートと用途ニーズに対応するため、多様な仕様のSiウェーハを提供しています。 技術情報および見積もりについては直接お問い合わせ
ください。
安定した結晶構造
制御可能な表面品質
様々な微細加工プロセスへの適応性
高いプロセス互換性
柔軟なサイズ・仕様選択
優れたロット間均一性
集積回路製造:
Siウェーハは集積回路の基本基板として多層デバイス構造を支え、チップ製造プロセスにおける重要材料です。
パワーデバイスおよびディスクリートデバイス:
パワー半導体およびディスクリートデバイス分野では、電気的・熱的要件を満たす安定したデバイス構造の構築にSiウェーハが使用されます。
MEMSおよびセンサー:
マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS
)やセンサーの製造に広く使用され、エッチング、成膜、微細構造形成プロセスに適しています。
科学研究およびプロセス開発:
大学や研究機関における新規プロセスの検証、デバイス構造の研究、材料性能試験に適しています。
Q1: シリコンウエハーの主な用途は何ですか?
A1: 主に半導体デバイス製造、微小電気機械システム(MEMS)、センサー、マイクロ/ナノ加工研究に使用されます。
Q2: シリコンウエハーの加工には高い表面品質が要求されますか?
A2: 一般的に、フォトリソグラフィー、成膜、エッチングなどの後続プロセス要件を満たすため、良好な表面状態が求められます。
Q3: シリコンウェーハは薄膜成膜実験に使用できますか?
A3: はい。スパッタリング、蒸着、化学気相成長(CVD)などのプロセスに適した、一般的な薄膜成膜基板です。
Q4: シリコンウェーハの保管・使用時の注意点は?
A4: 機械的損傷や表面汚染を避けるため、清潔で乾燥した環境での保管を推奨します。
各ロットには以下が付属:
サイズ検査報告書
第三者試験報告書
ご要望に応じて提供
当社は半導体・機能性材料の応用指向供給に注力し、実際のプロセスにおけるウェーハの適応性と安定性を重視しています。明確なパラメータ、安定した納期、効率的なコミュニケーションサポートを提供します。
分子式Si
分子量:28.09 g/mol
外観銀灰色ウェハー
密度:2.33 g/cm³
融点:1414 °C
沸点:3265 °C
結晶構造:ダイヤモンド立方晶系
内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。
外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。